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联电将为高通提供6年的产能支持

【联电将为高通提供6年的产能支持】业内消息称,高通已与晶圆代工厂联电达成一项长期协议,后者将为高通提供6年的产能支持。据称联电规划中的南科P6厂投资额高达千亿元,以28纳米高介电层/金属闸极(HK)制程1千片产能需要资金1亿美元来估算,每家芯片厂可能需要负担约5亿美元。联电的新厂预计在2023年第2季度实现量产,届时六大芯片厂每家将承包约5千片的月产能。

业内消息称,高通已与晶圆代工厂联电达成一项长期协议,后者将为高通提供6年的产能支持。

此前,业界传晶圆代工厂联电已经与联发科、瑞昱、联咏、三星、高通等六大型芯片厂商定,由上述厂商先支付产能保证金,联电负责在南部科学园区新建一座规模2万片的12吋28纳米的厂房。双方签订长期合约互绑,既能稳定价格,又能防止市场情况变化影响。

据称联电规划中的南科P6厂投资额高达千亿元,以28纳米高介电层/金属闸极(HK)制程1千片产能需要资金1亿美元来估算,每家芯片厂可能需要负担约5亿美元。联电的新厂预计在2023年第2季度实现量产,届时六大芯片厂每家将承包约5千片的月产能。

据悉,为了满足强劲的客户需求,联电2021年资本支出将达15亿美元,比去年增加50%;其中,85%的资本支出将投入12吋厂,主要以28奈米以下制程为主,其他15%投资到8吋厂。

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