高盛认为，AI服务器需求的爆发正在将整个电子元器件与材料产业链推入新一轮供需紧缺周期，且紧张程度正在持续加剧。 追风交易台消息，4月22日，高盛Daiki Takayama团队发表研报指出，自今年年初以来，由AI服务器驱动的需求热潮，正在把年初已经紧张的供应链推向更严重的短缺。 这份报告覆盖了从半导体、被动元件到特种材料的11个关键环节，其中五个领域的供需预测发生了显著上修。 从 MLCC 、 ABF基板 、 PCB/CCL 、 存储 到 磷化铟（InP）衬底 ，供需缺口在过去四个月内持续扩大，且这一趋势在2027年前难以逆转。 MLCC：可能迎来久违的涨价，产能扩张被“卡脖子” 多层陶瓷电容（MLCC）是本次报告中供需变化最受市场关注的品类之一。 高盛指出，AI服务器对MLCC的需求将从2025年至2030年增长约4.3倍，叠加汽车应用需求持续强劲，整个MLCC行业正进入明显的供需收紧阶段。 值得关注的是，即便是智能手机、PC等需求较弱的客户，也开始主动寻求与MLCC厂商签订长期供应合同。 原因并非自身需求旺盛，而是担忧未来在产能被AI服务器订单占满后，将难以获得充足供货。 这种"防御性抢单"行为本身，正在进一步加剧供需紧张。 在产能方面，高盛认为MLCC行业每年产能增长上限约为10%多一点，受制于内部设备与材料的制约，扩产速度极为有限。 若这些有限的新增产能主要被AI服务器与汽车应用吸收，当前供需紧张格局可能将持续整个周期。 在定价层面，2026年4月中旬中国台湾媒体报道了MLCC涨价消息。 虽然真实性有待财报季确认，但高盛认为，2026年同类产品的价格变动率从此前预估持平，上调至0%至5%。 若平均涨价幅度达到5%，高盛测算这将对相关头部厂商2027财年的营业利润，分别带来13%和37%的上行影响。 ABF基板：AI芯片设计规格持续升级，2027年前供应无望显著扩张 味之素堆积薄膜（ABF）基板是AI芯片封装的核心材料。 高盛维持对ABF基板未来18至24个月供需前景的积极判断，驱动力来自两个方向： 一是 AI芯片出货量的扩大； 二是 单颗芯片基板面积和层数的快速升级。 2026年的价格涨幅预期也从20-30%上调至30-35%。 当前AI芯片主流基板设计规格为75mm×85mm、14/16层， 高盛预测2027年将升至120mm×150mm、20层以上，至2030年进一步升至200mm×250mm、20层以上。 尺寸扩大不仅直接降低生产良率，还会增加面板利用损耗，相当于单位产能的实际有效供给在下降。 目前中国台湾主要ABF基板厂商的产能已基本被预订至今年底，而 高盛预计ABF基板供应商在2027年下半年之前不会有明显的产能扩张。交货周期延长意味着定价能力持续增强。 PCB/CCL：技术规格持续跃升，AI服务器拉动平均售价每年上涨30%以上 在AI服务器对印刷电路板（PCB）和覆铜板（CCL）的需求方面，高盛观察到两条并行的升级路径： 一是CCL等级的提升 ：从2023年主流的M7级，升至2025年的M8级，预计2027年升级至M9级； 二是PCB层数的增加 ：从2023年主流的22层，升至2025年的28层，预计2027年将达到36层以上。 高盛认为，上述趋势主要由数据传输速度需求与计算性能提升共同驱动， 预计AI CCL/PCB的平均售价在可预见的未来将保持每年30%以上的同比增长。 在供需平衡方面，高盛预计一线PCB/CCL供应商产能每年扩张约20%至30%，但这一速度明显慢于AI服务器需求增速，此前台积电曾预测增速将达50%以上的年复合增长率。 超额需求将溢出至二三线供应商，但根据2025年数据，这些低端供应商的生产良率普遍比一线厂商低约20%，即使发动价格战也难以真正抢占市场份额。 因此，一线PCB/CCL供应商将持续享有供需与定价的双重优势。 存储：2026年供需缺口急剧扩大，高盛将DRAM/NAND价格预测大幅上调 存储内存是本次报告中预测调整幅度最大的品类，也是对整个产业链影响最为深远的环节之一。 高盛将 2026年DRAM价格涨幅预测 从此前的约150%大幅 上调至250%至+280% ； NAND价格涨幅预测 从约100% 上调至+200%至+250%。 供需紧张的三大驱动因素是： 服务器应用需求强劲； 全行业产能新增有限，且新增产能优先供给高带宽内存（HBM），压缩了传统内存的供给增量； 整个行业库存水位极低，进一步限制供给弹性。 更值得警惕的是，高盛已将供需紧张的预期从2026年延伸至2027年。 此前高盛预计存储供需将于2027年恢复平衡，但最新判断认为供给紧张局面在2027年难以缓解，整体供需将在2027年继续维持偏紧格局。 磷化铟（InP）衬底：AI光互联核心材料，供需紧张延续，产能扩张需跨越多年 磷化铟（InP）衬底是本次报告中颇受关注的新兴紧缺材料。 高盛预计2026年磷化铟衬底的供需紧张格局将持续，并预计价格将上调约15%。 从扩产动向来看，相关主要供应商已分别于2025年7月、10月及2026年2月多次宣布扩产计划，并持续加码投资。 尽管各方扩产意愿明确，但 高盛指出，新产能的实质性落地最早也要到2028财年前后才能开始分阶段释放，产能瓶颈在中短期内难以得到根本缓解。 与此同时，业界普遍反映磷化铟基板的市场需求旺盛，来自多家公司的供给均已无法满足下游需求，供不应求的局面预计将延续至下一财年。 晶圆代工：台积电先进制程供不应求将持续至2027年及以后 在晶圆代工领域，高盛对台积电的判断是：受持续增长的AI推理需求驱动，先进制程供给将至少在2027年前保持供不应求的状态。 而当前台积电资本开支周期带来的新增产能预计要到2028至2029年才能落地。 高盛预测台积电2026至2028年的美元收入将分别同比增长35%、30%和29%。 对于中国大陆晶圆代工厂商，高盛的判断则有所不同。 尽管当前产能利用率处于高位，但中国晶圆代工厂正在持续扩张产能，供需并不紧张。 高盛预计，受高利用率、工业设备终端市场需求回暖、AI相关产品需求增长、原材料成本上升以及较为健康的竞争格局等因素共同驱动，2026年中国大陆晶圆代工厂的同类产品价格将上涨约10%。 综合高盛此次报告的全部判断，对投资者而言，存储价格的大幅上调预期、ABF/BT基板的持续紧俏、InP衬底的多年扩产周期，均指向同一个方向—— 供给端的物理约束将在相当长时间内支撑整个算力硬件产业链的盈利能力与定价权。

据Choice数据统计，截至上周日，沪深两市 上周共118家上市公司接受机构调研。 按行业划分， 电子、机械设备和基础化工 行业接受机构调研频度最高。此外，国防军工、有色金属等行业关注度有所提升。 细分领域看， 汽车零部件、消费电子和通用设备 板块位列机构关注度前三名。此外，化学制品、光学光电子等行业机构关注度提升。 具体上市公司方面，据Choice数据统计， 光力科技、长缆科技、佐力药业和敷尔佳接受调研次数最多，均达到3次 。从机构来访接待量统计， 蓝帆医疗、海联讯和帝科股份排名前三，机构来访接待量分别达148家、130家和119家。 市场表现看， 小金属概念股本周表现活跃。 云南锗业周四发布机构调研纪要表示， 受下游光通信市场需求增加及原材料价格上涨的影响，近期磷化铟晶片价格有所上涨。 截至目前，公司磷化铟晶片的产能为15万片/年（2-4英寸）。公司控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司 已批量化向下游客户供货 ，与下游客户长期保持良好的合作与互动。 二级市场上， 云南锗业周五一字涨停。 宝武镁业周五发布机构调研纪要表示， 半固态镁合金注射成型产品能改善产品气孔缺陷 ，一定程度提高产品本体材料强度及产品强度。同时，生产周期可压缩20%-30%，进一步契合市场对大尺寸、高质量镁合金产品的轻量化和环保需求。公司在南京精密和重庆博奥已经自建了300吨，1300吨，1500吨，3500吨的半固态铸造产线，设备由伊之密和海天提供，目前主要生产汽车仪表盘支架、转向支架、行李箱支架，无人机机仓等部件。 红星发展周三发布机构调研纪要表示， 硫磺销售价格上涨对公司利润会产生一定积极影响 。公司及子公司对生产钡盐、锶盐副产的硫化氢气体进行综合利用生产硫磺产品，2023年产量为3.4万吨，2024年产量为3.6万吨。

3月19日，长光华芯股价大幅上涨，盘中一度涨幅超过12%，截至收盘，公司股价报收182.59元/股，上涨11.33%。 消息面上，3月18日晚间，长光华芯公告称，公司全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司拟出资800万元认购关联方苏州星沅光电科技有限公司（以下称 “星沅光电”）新增注册资本62.5万元。增资完成后，苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司持有星沅光电的股权比例将从20%提升至23.07%。 对于此次增资，今日（3月19日），长光华芯董秘办人士表示， 公司以主营业务高端工艺半导体激光业务作为核心支撑，再在此基础上进行横向拓展 。“我们布局开展这项新业务，提前排查潜在的市场空间，主动接触未来的潜在客户，公司自去年投资星沅光电以来，这家子公司已经初步对接和接触了一些市场客户。” 增资加码高端磷化铟激光器芯片 公开信息显示，星沅光电于2025年11月14日完成工商注册登记，主营业务为开发高端磷化铟激光器芯片、器件及相关模块、子系统，用于AI数据中心光通信、调频连续波激光雷达、光纤传感等领域。 长光华芯董事长、总经理闵大勇担任星沅光电董事，公司副董事长、常务副总经理王俊先生担任星沅光电监事，公司全资子公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司此前持有星沅光电20%的股权，星沅光电为公司的关联方，本次增资构成关联交易。 长光华芯表示，公司本次向关联方增资系为了保障星沅光电的产线建设与日常运营资金需求，加快开发高端磷化铟激光器芯片、器件及相关模块、子系统，提升公司核心竞争力。 业绩表现方面，截至2025年度，星沅光电亏损15.28万元。 中国民族贸易促进会理事会常务理事支培元在接受《科创板日报》记者采访时表示，从长光华芯披露的内容看，该公司在光通信磷化铟芯片领域的布局，相对于业内部分头部玩家来说起步相对偏晚。如果所有相关业务都通过上市公司现有的主体自主开展，项目推进的成本会比较高，整体推进效率也会偏低；相较之下，长光华芯通过产业与资本相互结合的方式，借助多方的资源平台，能够让这块新业务发挥更大的作用，当然可以通过这样的市场化方式去运作项目。 “两块业务是完全协同、指向同一发展目的的。” 谈及星沅光电与长光华芯业务协同性，该公司董秘办人士表示，首先，二者主营业务同属于半导体激光芯片核心业务范畴；其次，二者的应用场景都可以覆盖数据中心领域，只是两者在技术路线上有短距和长距的区分；第三，两者的半导体材料体系底层相通的。 长光华芯采用 IDM 模式进行半导体激光芯片的研发、生产与销售，构建了砷化镓、磷化铟等五大材料体系，建立了边发射和面发射两大工艺技术和制造平台，是全球少数几家具备6寸线外延、晶圆制造等关键制程生产能力的IDM半导体激光器企业之一。 有芯片行业咨询人士王苏怡（化名）对《科创板日报》记者分析表示， 长光华芯主营的砷化镓激光芯片、星沅光电布局的磷化铟激光芯片，同属于III-V族化合物半导体，属于同根同源的技术平台，因材料属性不同而分化的两个分支。 二者可以共用一套底层的半导体物理原理、晶体生长逻辑、外延工艺逻辑、芯片设计核心思路，以及晶圆制造、封装测试的核心技术平台和工艺积累。 AI算力带动需求爆发 磷化铟衬底量价齐升 近年来，AI高速光通信需求持续爆发，磷化铟材料地位凸显。 随着大模型参数突破万亿、算力集群规模持续扩张，数据中心内部的光互联进入800G、1.6T乃至3.2T时代，传统硅基器件难以承载海量数据的高速传输，磷化铟成为高速光模块的刚需材料。 资料显示，磷化铟则是EML的核心衬底材料，其属于 III-V 族化合物半导体，具有直接带隙特性，具有饱和电子漂移速度高、发光损耗低的特点，是制造高性能激光器和调制器的理想材料。 面对持续扩大的市场需求，全球各大光通信厂商均强调磷化铟材料的扩产计划。 近日，光通信行业龙头Lumentum表示，该公司已推进约40%的磷化铟（InP）扩产计划，并预测到 2030 年，AI 数据中心对磷化铟的需求年复合增长率将达到85%。 国内磷化铟（InP）衬底领域的头部企业云南锗业董秘办人士今日（3月19日）表示， 目前公司磷化铟衬底的现有产能，是年产15万片2-4英寸规格的产品。 云南锗业董秘办人士进一步表示，该公司还针对6英寸磷化铟衬底设有专项研发项目，目前研发已经取得了一定进展，只是从研发成功到实现规模化量产，中间还需要一定的推进周期，没办法立刻落地。 “ 国内市场方面，磷化铟衬底主要需求集中在2-3英寸规格；国外市场主要需求集中在3-4英寸。整体看，6英寸衬底现阶段全球整体需求都非常少。 ”前述芯片行业咨询人士王苏怡补充说道。 谈及磷化铟供需变化情况， 云南锗业董秘办人士介绍称，从去年开始，该公司磷化铟衬底产品已经逐步放量出货。 价格上涨的原因，一方面，因为光通信领域光芯片需求持续增长；另一方面，铟材料属于国内出口管制品类，国内产能出口受限之后，今年下游厂商开始把原本放在海外的外延片生产需求，逐步转移到国内来。 《科创板日报》记者了解到，在需求拉动与产业转移双重驱动下，今年年初以来，磷化铟衬底价格已经出现上涨。其中， 3英寸规格的磷化铟衬底涨幅比较明显，当前价格在1700元-2100元每片，较去年同期上涨近30%。

当地时间周三，美股磷化铟（InP）概念股AXT Inc涨近20%。 拉长时间线就能看到， 近半年多以来，其股价屡创新高，累计涨幅约1000%。 几天前AXT刚刚宣布，已完成816.33万股普通股的承销公开发行，公司此次发行募集资金总额约为1亿美元。 公司计划将本次募集资金用途包括： 子公司北京通美磷化铟衬底产能扩张 ，出口到全球以满足不断增长的行业需求；新产品或产品研发迭代；以及公司运营。 光模块为磷化铟衬底下游最大应用领域。此前在去年的三季度电话会议上，AXT首席执行官Morris Young表示，由于全球数据中心应用对磷化铟的需求强劲增长，公司业务非常活跃。 “第三季度，我们的磷化铟收入环比增长超过250%，创下三年来新高，这得益于我们在本季度获得了多项重要磷化铟订单的出口许可。” 不仅如此， AXT磷化铟积压订单金额达到近5000万美元，环比增长超过一倍。 值得一提的是，美股光芯片概念股 Lumentum也在近日创下了股价新高，近半年来股价涨超280% 。 在去年11月初的电话会议上，该公司透露，2026财年第一季度，Lumentum各产品线均实现强劲增长。 磷化铟平台的EML激光器创下出货量纪录；由于客户需求强劲，磷化铟晶圆厂产能已全部分配完毕 。公司预计未来几个季度将实现约40%的单元产能扩充，为2026年激光芯片出货再攀新高、巩固数据中心磷化铟光源领导地位奠定基础。 磷化铟是由磷和铟组成的二元半导体材料，是仅次于硅之外最成熟的半导体材料之一，被广泛应用于生产射频器件、光模块、LED（Mini LED及Micro LED）、激光器、探测器、传感器等器件。 在过去，磷化铟主要应用于电信设备和特殊仪器中，产品应用面相对冷门。20世纪80年代，磷化铟首次被用于晶体管中，20世纪90年代，磷化铟被用于电信用电吸收调制激光器中。 但随着AI热潮掀起，因磷化铟具有饱和电子漂移速度高、发光损耗低的特点，高度符合AI高速计算需求，能让数据顺利实现高速传输，由此成为光芯片上游的关键原料，从曾经的冷门产品一跃成为AI产业链中最炙手可热的材料之一。 华泰证券指出， 磷化铟衬底需求高增背景下，头部厂商供给紧俏或将为其他梯队公司带来新的增长机遇 。产业链相关公司包括： 1）云南锗业：子公司云南鑫耀与九峰山实验室合作，首次开发出6英寸InP基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺； 2）跃岭股份：截至2025年9月18日，公司持有中石光芯10.05%股权，中科光芯是中石光芯子公司，产品覆盖了InP基的外延片、光芯片等产品； 3）博杰股份：截至2025年6月30日，公司直接持有鼎泰芯源10.28%的股份，后者建成了国内第一条具有自主知识产权的InP衬底材料生产线； 4）三安光电：公司是从事化合物半导体材料研发与应用的主要上市公司之一，核心主业包括以InP等半导体新材料所涉及的外延片、芯片。