抢了一年多的HBM产能，还是“缺”字当头。

不说2024年，存储原厂连2025年的HBM产能也已被预订一空，订单能见度甚至直达2026年一季度。

摆在供应商面前的有两条路：扩产和技术提升——这两条路由不得他们选择走哪一条，想在这场竞争里活下去、赢下去，就要“两条腿走两条路”。

于是之前稍微落后的美光出手了：全球扩产。

6月19日有消息称，美光正在美国建设HBM测试产线与量产线，并首次考虑在马来西亚生产HBM。公司目标是在2025年将HBM市占率提高两倍以上，达到20%左右。之前公司还计划在日本广岛新建DRAM厂，预计2026年初动工、最快2027年底完工。

满打满算，现在距离美光的“2025年”最多也只有一年半，留给美光的时间实在不多了。

美光的HBM3e今年才正式加入战场，短期内良率仅有SK海力士的一半左右；而其HBM单月产能约3000片——据台湾电子时报本周数据，美光与SK海力士合计每月向英伟达供应6万多片HBM，那么美光靠着这3000片产能，供应比重仅有SK海力士的大约1/19。

SK海力士在这场HBM竞逐中，至今仍保持着领先身位，但也已走上了大幅扩产的路。

同样也是本周，有消息称SK海力士正在大幅扩产第5代1b DRAM，以应对HBM与DDR5 DRAM的需求增加。按照晶圆投入量看，公司计划将1b DRAM月产能从今年一季度的1万片增加到年末的9万片，到明年上半年进一步提升至14万-15万片，是今年一季度产能的14-15倍。

至于全球存储三巨头中剩下的三星，HBM3打入英伟达供应链之后，HBM3e供应却颇为坎坷，受限于散热、功耗等方面，产品至今仍未敲开英伟达大门。这家韩国公司3月底曾表示，预计今年HBM产能将增至去年的2.9倍。

▌技术竞赛

HBM是AI芯片中占比最高的部分。根据外媒拆解，英伟达H100成本接近3000美元，其中占比最高的便是SK海力士的HBM，凭借2000美元左右的成本直接超过制造和封装。

不久前黄仁勋宣布，将英伟达的AI芯片更新周期从两年压缩至一年，换言之，每年一更新。这一策略不仅意味着客户需要适应这样迅速的迭代，也敦促着供应商提高技术演进的速度。

SK海力士近日已开始将混合键合应用于3D DRAM的量产。TSV+堆叠键合工艺为当前HBM理想方案；但随着堆叠层数增加，散热要求增加，混合键合有望成为下一代HBM4方案。

除了SK海力士之外，三星电子先进封装团队也已完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证，未来16层堆叠混合键和技术将用于HBM4内存量产。

▌国产供应链提速追赶

美光在补产能的课，三星在补技术验证的课，而我国HBM也已开启提速追赶之路。

台湾电子时报6月20日已援引业内人士消息称，IC设备和材料供应商已经看到中国企业对HBM等产品的需求强劲。

HBM产业链持续配套升级的同时，势必带来新需求，其中一个关键就是设备环节。

以前文提到的SK海力士扩产1b DRAM为例，公司已下达设备订单，“主要是薄膜沉积、刻蚀、光刻等核心设备。”还有业内人士指出，“设备订单数量的增长已经超出了我们最初的预期。”

而目前来看，打入HBM产业链的大陆企业中，有材料公司、封测公司、设备厂，也有代销商。

其中，长电科技、通富微电和盛合晶微等封装厂商已经拥有支持HBM生产的技术（如TSV硅通孔）；国芯科技则表示，正和上下游合作厂家积极开展包括HBM技术在内的高端芯片封装合作；紫光国微的HBM产品还在研发阶段；兴森科技的FCBGA封装基板可用于HBM存储封装，但尚未进入海外HBM龙头产业链。

华金证券6月3日研报也建议关注HBM产业链相关标的，包括1）封测环节：通富微电（先进封装）、长电科技（先进封装）等；2）设备环节：拓荆科技（PECVD+ALD+键合设备）、华海清科（减薄+CMP）、华卓精科（拟上市，键合设备）、芯源微（临时键合与解键合）等；3）材料环节：华海诚科（环氧塑封料）、天承科技（RDL+TSV电镀添加剂）、艾森股份（先进封装电镀）等。

回望11年前，SK海力士就已首次制造出HBM，两年后迎来第一位客户AMD。但在此之后，HBM因价格高昂，再鲜见客户买账，沉寂多年以致一度被看作是“点错了科技树”。

如今，英伟达一片GPU终于为HBM“正名”，整个行业都在追赶HBM的进度。毕竟，在AI硬件军备赛中，时间就是生命，落后意味着淘汰。