在SMM举办的2023SMM国际光伏产业峰会-Topcon高效电池与晶硅应用论坛上，山西中来光能电池科技有限公司研发经理张耕介绍了TOPCon技术发展历史、中来J-TOPCon 2.0技术、中来新一代提效技术展望、以及中来电池技术发展规划。

TOPCon技术发展历史

TOPCon技术及成本优势

中来J-TOPCon 2.0技术介绍—技术优势—电池

•J-TOPCon 1.0采用LPCVD技术沉积poly层，有绕镀产生。

•额外的去绕镀工艺使得TOPCon的生产工序增加，导致高成本，低良率。

•J-TOPCon 2.0首创板式PVD技术（PoPaid）沉积poly层，无绕镀。

•相较于LPCVD、PECVD而言，中来首创安全无漏电的PVD技术无需额外去绕镀步骤。

•使得TOPCon的制造成本更低，良率更高，是最安全的电池制造技术。

中来J-TOPCon 2.0技术进化—硅片尺寸

中来J-TOPCon 2.0技术进化—硅片厚度

中来新一代提效技术展望—效率提升

•J-TOPCon2.0电池片典型的功率损失分析图如上所示

•提高效率的途径大致分为：1）降低p+ emitter 的钝化区复合；2）降低p+ emitter 的横向传输电阻；3）降低p+ emitter 的金属接触复合；4）降低n+ Poly钝化区的复合；5）降低栅线遮挡损失；6）降低外反射损失等。

•近期，中来股份宣布已成功研发出一种全新的电池注入金属化技术，即“中来独特注入金属化技术（Jolywood Special Injected Metallization）。

•通过独特的金属化工艺，优化了烧结温度，提升了开路电压、降低了接触电阻最终有效提升了电池的光电转换效率。

•并完美解决TOPCon组件湿热测试后的功率衰减问题，为双面单玻找到了解决方案。

中来J-TOPCon 2.0技术介绍—技术优势–组件

根据CPVT银川实证基地数据显示：2022年3月-2023年2月，透明背板组件单瓦发电量比双玻组件平均高1.29%；透明背板超疏水结构设计，更优秀的自清洁能力；透明背板更高的透过率，对比背面玻璃高3.5%；透明背板组件更低的工作温度，对比双玻组件平均工作温度低1.13℃。

中来新一代提效技术展望-成本下降

中来电池技术发展规划