全球芯片业龙头企业之一的三星电子正在芯片代工领域发力，近日更是发布明确的路线图，希望未来几年能夺得更多市场份额。

当地时间周二（6月27日），三星电子在美国加州硅谷举办“2023三星晶圆代工论坛”。会上，三星电子宣布将提高芯片代工产能，并引进更先进的制程技术。此外，三星还发布了该公司2纳米等先进制程的具体路线图。

2纳米制程

三星电子去年6月实现基于全环绕栅极（GAA）技术的3纳米工艺半导体产品量产，之前也公布了将于2025年起量产基于GAA技术的2纳米工艺半导体。

据悉，GAA技术是新一代半导体的核心制程技术，能够提升数据处理速度、电力效率和晶体管性能。

与目前最先进的3纳米技术比较，三星电子的2纳米制程将提高性能12%、并节能25%。

周二当天，三星电子在论坛上提出了关于2纳米工艺半导体的具体时间表：自2025年起首先将该技术以用于移动终端；到2026年将2纳米工艺适用于高性能计算机集群（HPC）；并于2027年将其用途扩至车用芯片。

展望未来，三星还确认了在2027年开始批量生产首批1.4纳米芯片的计划。

三星电子代工事业部总经理 Siyoung Choi博士表示，“三星代工一直以领先的技术创新曲线来满足客户的需求，今天，我们相信，我们基于GAA的先进节点技术将有助于支持客户使用人工智能应用程序的需求。确保客户的成功是我们代工服务的最核心价值。”

拓展代工路线

除了推进先进制造工艺外，三星电子公司还决定拓展专业芯片代工服务。

首先，三星将从2025年起提供人工智能技术所需的8英寸氮化镓（GaN）功率半导体的代工服务，该半导体的特色是高性能低电耗，目标应用是消费者、数据中心和汽车应用。

同年，三星还将开始生产支持6G网络技术的5纳米射频芯片。该射频芯片将采用三星的5纳米工艺制造，其功率效率将比之前的14nm射频芯片提高40%，面积则减少50%。

与此同时，公司还力争提高生产能力，通过增加无尘室扩产，服务更多的客户。三星电子计划到2027年，该公司的无尘室总空间将比2021年扩大7.3倍。

为此，三星电子表示将在韩国平泽工厂和美国得克萨斯Taylor工厂新建生产线。

此外，公司还宣布将与相关企业构建先进封装协商机制“MDI（Multi Die Integration）同盟”， 领导新一代封装市场。

争抢领跑位

2纳米工艺被视为下一代半导体制程的关键性突破，它能够为芯片提供更高的性能和更低的功耗。

作为三星最大竞争对手的台积电，该公司于去年研讨会上就披露了其2纳米芯片的早期细节。台积电的2纳米芯片将采用N2平台，引入GAAFET纳米片晶体管架构和背部供电技术。

台积电推出的采用纳米片晶体管构架的2纳米制程技术，在相同功耗下较3纳米工艺速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。

美国芯片巨头英特尔也为先进制程做好了准备。该公司已经完成了Intel 20A和Intel 18A的制程工艺的开发（分别对应2纳米和1.8纳米）。Intel 20A工艺将引入两种全新的技术，PowerVia背部供电技术和RibbonFET全环绕栅极晶体管。RibbonFET就是基于GAA技术，只是英特尔将其命名为了RibbonFET。

英特尔还表示，将于2024年量产Intel 20A、以及更加先进的Intel 18A。根据英特尔的说法，Intel 18A的性能会完全超过台积电和三星的2nm工艺。

此外，日本的一家芯片合资企业Rapidus也不容小觑。该公司由索尼集团、丰田汽车、软银、铠侠、日本电装等八家日企共同成立，还获得了日本政府的大力支持。该公司的目标是在2025年至2030年间开始高端芯片。

去年末，Rapidus宣布与IBM公司建立战略合作伙伴关系，共同开发2纳米节点技术。今年2月，Rapidus公司将其尖端2纳米芯片工厂的选址定在了千岁市，该公司计划于2025年启动这条生产线，并于2027年量产。

4月，Rapidus社长还公布了一项更大胆的计划，兴建1纳米制程的芯片厂房。