当地时间2月17日，据evertiq报道，为巩固在功率半导体领域的地位，英飞凌将投资20亿欧元在马来西亚新建一座前端晶圆厂，以增强在宽带隙（SiC和GaN）半导体领域的制造能力。

英飞凌表示，一旦装备齐全，新工厂将通过基于碳化硅和氮化镓的产品创造 20 亿欧元的年收入。预计该工厂将于2024年夏天准备好设备，第一批晶圆计划在2024年下半年出货。

此外，英飞凌首席运营官 Jochen Hanebeck 在新闻稿中称，可再生能源和电动汽车是推动功率半导体需求强劲和可持续增长的主要动力。而英飞凌扩大碳化硅和氮化镓的产能，正是为了在加速发展的宽带隙市场中做好准备。