“公司车规级碳化硅产品已与英飞凌、博世合作多年。循着天岳先进供应英飞凌和博世这条线，可以看到近期北京车展上的众多碳化硅车型已广泛采用国产碳化硅衬底，如：比亚迪汽车的SiC MOSFET供应商是博世等，小米汽车SU7的SiC MOSFET供应商是英飞凌和博世，保时捷的SiC MOSFET也是博世等。”在今日下午举行的2023年度业绩说明会上，天岳先进董事长宗艳民表示。

天岳先进是半绝缘型碳化硅衬底龙头。由于导电型碳化硅衬底在新能源汽车、光伏等领域存在需求空间，这也被其视为该公司下一个高潜力产品。

截至2024年一季度，天岳先进实现营收4.26亿元，同比增长120.66%；归母净利润4610万元，而去年同期亏损。该公司表示，业绩快速增长主要因为其导电型碳化硅产品销量增加所致。

天岳先进董事会秘书钟文庆在业绩说明会上介绍，得益于全球能源电气化和低碳发展驱动，下游电动汽车、新能源、储能等领域对碳化硅需求强劲。该公司正优化产能布局，目前以山东济南、上海临港两大工厂为主。其上海临港工厂已实现了产品交付，目前以导电型碳化硅衬底产品为主，未来产能增长主要依托于上海临港工厂。

针对碳化硅产能布局情况，钟文庆进一步表示，2023年该公司上海工厂顺利开启产品交付，同时上海临港工厂实现了快速的产能产量爬坡。截至目前，上海临港工厂已经能够实现年30万片导电型衬底的能力。接下来，该公司将继续推进产能提升，临港工厂的第二阶段产能提升已经在规划中。

《科创板日报》记者注意到，为解决碳化硅新建产能资金问题，天岳先进于今年4月11日、12日分别发布公告称，该公司拟向金融机构申请不超过30亿元的授信额度以及拟发行股票募资3亿元，用于扩产。

“目前公司8英寸碳化硅产品已实现批量化销售。”业绩会上，钟文庆称，IPO募集资金主要投入到临港工厂建设中，未来公司还将通过多样化的融资方式继续扩大生产经营规模，并提高8英寸碳化硅产品的产能，抓住行业快速发展机遇。同时还将继续加大前瞻性技术的研发投入。

截至2024年一季度，天岳先进包括短期借款、应付账款等在内的负债总额为18.89亿元，同期的货币资金为11.55亿元，两者相差7.34亿元资金“缺口”。

有业内分析人士对《科创板日报》记者表示，碳化硅行业属于资本密集型，长晶过程需要大量的长晶炉，“一台炉子大约需要150万元左右，比较烧钱，对于一般企业来说是难以承受的”。该公司通过银行授信、定增等方式，可在一定程度上解决自身资金不足问题。

伴随着大尺寸碳化硅日益成技术主流，对于公司最新技术进展及核心竞争优势，也是投资者关注的问题之一。

业绩会上，谈及公司液相法技术进展及规模化生产情况时，天岳先进董事长宗艳民表示，在碳化硅单晶生长技术方面，物理气相传输法是目前产业内规模化碳化硅晶体生长方法。液相法SiC长晶技术具有多个优势，理论上可以制备极高质量晶体。“目前公司是仅少数企业正在从事液相法作为新技术的研发，但液相法是前沿技术，尚未实现产业化大规模生产。”

“公司在液相法技术上取得了较好的研究进展：2023年公司通过液相法制备出了低缺陷密度的8英寸晶体，属于业内首创；2024年公司液相法制备的P型衬底获得行业关注，打开了新的市场应用领域。未来，公司将加大研发，突破技术瓶颈。”宗艳民补充称。

数据显示，近年来天岳先进资产负债率也在不断升高。截至今年Q1，天岳先进资产负债率为26.58%，较2023Q4增加了2.2个百分点，再创阶段性新高。