全球晶圆代工龙头台积电近期已正式证实，将在未来两年内逐步退出氮化镓（GaN）晶圆代工业务。 近期，纳微半导体公布了一份8-K文件。其中提到，“在获悉公司唯一的氮化镓晶圆供应商台积电将于2027年7月停止GaN生产后，纳微将继续计划实现氮化镓晶圆供应来源多元化。台积电向行业媒体证实了退出计划，强调该决定是经过完整评估后，基于市场动态与公司长期业务策略作出的选择。 在台积电退出氮化镓代工业务之际，英飞凌宣布其在300mm晶圆（12英寸晶圆）首批样品将于2025年第四季度向客户提供。 台积电的退出给氮化镓芯片市场带来哪些影响？有着哪些原因？12英寸氮化镓晶圆目前发展到什么程度？距离我们还有多远？带着这些问题，《科创板日报》记者来到英诺赛科位于苏州的全球研发总部，对该公司董事长骆薇薇、CEO吴金刚进行了专访。 “氮化镓产业不适合代工” 英诺赛科是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，亦是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。根据弗若斯特沙利文的资料,该公司于2023年在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一，市场份额33.7%。 对于台积电退出氮化镓（GaN）晶圆代工业务，骆薇薇向《科创板日报》记者分享了几点看法。 她认为，“氮化镓晶圆并不适合代工模式，传统的半导体功率器件结构过于简单，并没有太多代工需求，因此这种模式无法提供足够的投资回报率（ROI），并且与客户之间缺乏足够的共享和合作。” 在骆薇薇看来， GaN器件需与设计、应用深度协同，通过IDM模式（垂直整合制造）直接对接市场是当下更为适合的生产方式，台积电放弃GaN代工业务是行业内的差异化选择。 据了解，英诺赛科采取IDM经营模式。研发设计、制造、封测等多个产业链环节均实现自主把控。依托苏州和珠海两大生产基地，截至2024年末，该公司氮化镓月产能已达1.3万片晶圆，良品率超95%。 英诺赛科CEO吴金刚表示， 6英寸线的代工模式在成本、性价比及技术迭代速度上难以满足客户的设计导入需求。“并不会有大厂会在6英寸领域做过大投入，因为6英寸只是一个验证，只有做到8寸并拥有一定产出规模才是可行的。” 有多名业内人士表示，目前实现12英寸氮化镓晶圆产业化仍有较大阻碍。骆薇薇认为， 12寸氮化镓晶圆产业化的阻碍首当其冲的是市场目前并没有MOCVD厂商公开宣布已推出支持12英寸氮化镓外延的解决方案。 据了解，MOCVD是氮化镓外延层生长的核心设备，其重要性体现在GaN材料生长、器件性能、量产可行性及产业竞争力的方方面面。 其次，从6英寸到8英寸的过渡已经是指数级的难度增加，而从8英寸到12英寸的技术挑战更是巨大， 只有在8英寸平台上达到足够的规模和效率，才有尝试12英寸可能。 《科创板日报》记者注意到，目前英飞凌并未公开表示其8英寸氮化镓晶圆相关产量。 氮化镓市场需求增量明显 近年来，氮化镓功率器件在市场的应用出现了较快增长。 Yole预测，全球GaN功率器件市场规模将从2023年的约5亿美元增长至2029年的22亿美元，年复合增长率（CAGR）达43%。集邦咨询则更乐观，预计到2030年市场规模将突破43.76 亿美元，CAGR达49%，主要驱动力来自电动汽车、数据中心、电机驱动等场景。 英诺赛科2024年财报显示，该公司在新能源汽车、AI以及人形机器人领域取得较大突破，车规级芯片交付数量同比增986.7%，AI及数据中心芯片交付数量同比增长669.8%，实现较快增长。 在人形机器人方面， 英诺赛科已推出150V/100V全系列氮化镓产品，覆盖关节及灵巧手电机驱动、智慧电源转换及电池管等各类应用，其中100W关节电机驱动产品已经量产。 骆薇薇向《科创板日报》记者表示， 从短期来看， 目前业务增速较快的领域主要集中在消费电子，原因在于消费类产品的验证周期较短、技术要求相对较低，因此市场推广和客户接受速度较快。 从长期来看， 工业领域的市场空间更大，尤其是随着技术成熟和规模化生产，氮化镓在工业场景中的竞争力将逐渐显现。例如，高频、高压的氮化镓器件在工业电源、机器人、人工智能数据中心等领域的应用具有巨大潜力。 关于未来研发方向，据吴金刚透露，英诺赛科以1200V器件为突破口，聚焦汽车和工业场景，与碳化硅形成差异化竞争。 其中，车载专用氮化镓器件是英诺赛科研发的重点方向之一。 尤其是高压双向导通GaN器件，英诺赛科今年已经开始给下游客户送样，目前客户反馈良好。 其二是高压部分 ，加大低压高频氮化镓功率器件的研究，高频目标到8-10兆，瞄准GPU供电市场。 其三是100V氮化镓功率器件的研究 ，瞄准AI数据中心48V转12V、新能源汽车以及机器人领域。 产能方面 ，英诺赛科正在扩产，计划在2025年底达到每月2万片的产能，目标2028年实现每月生产7万片氮化镓晶圆。关于产能建设情况，吴金刚表示，目前，无尘室和常规系统都已准备好，只需增加设备即可。 同时，据骆薇薇预测，与12英寸氮化镓晶圆预计2030年后实现产业化。

集微网消息，10月24日，英飞凌宣布完成收购氮化镓系统公司GaN Systems。 英飞凌消息称，这家总部位于加拿大渥太华的公司，将为其带来丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。已获得所有必要的监管部门审批，交易结束后，GaN Systems 已正式成为英飞凌的组成部分。 英飞凌科技首席执行官 Jochen Hanebeck 说道：“收购 GaN Systems 将显著推进公司氮化镓技术路线图，并让我们同时拥有所有主要的功率半导体技术，进一步增强英飞凌在功率系统领域的领导地位。” 目前，英飞凌共有450名氮化镓技术专家和超过350个氮化镓技术专利族。英飞凌和 GaN Systems 在知识产权、对应用的深刻理解以及成熟的客户项目规划方面优势互补。 3月2日，英飞凌和 GaN Systems 联合宣布，双方签署最终协议。根据该协议，英飞凌将斥资8.3亿美元收购 GaN Systems。这笔“全现金”收购交易是使用现有的流动资金来完成的。

据中国电科官微消息，近日，中国电科46所成功制备出我国首颗6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。 氧化镓是新型超宽禁带半导体材料，拥有优异的物理化学特性，在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景。但因具有高熔点、高温分解以及易开裂等特性，因此，大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。 中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向，从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶生长技术，具有良好的结晶性能，可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制，将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。 近年来，中国电科围绕国家战略需求，在氧化镓、氮化铝、金刚石等超宽禁带半导体材料领域砥砺深耕并取得重大突破和标志性成果，有力支撑了我国超宽禁带半导体材料的发展。