全球最大内存芯片制造商三星电子近日宣布其新一代DDR5储存芯片计划。据悉，三星新一代存储芯片速度将是上一代两倍，且容量提高了20%、功耗下降了13%，将于下半年量产。

三星24日在公司新闻稿中表示，三星开发了业界首款基于High-K Metal Gate（HKMG）制造工艺的DDR5内存芯片，DDR5内存速度将是目前DDR4的两倍，最高达到7200兆每秒(Mbps)，能够满足超级计算、人工智能(AI)和机器学习(ML)以及数据分析应用程序中最极端的计算需求。

事实上，这不是三星第一次使用HKMG工艺，早在2018年就该工艺开始应用在GDDR6显存上。三星表示，通过扩大HKMG工艺的应用，三星进一步巩固了其在下一代DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器）技术中的领导地位。

除此之外，三星还利用了 TSV 硅通孔技术，堆叠 8 层 16Gb DRAM 芯片，因此 DDR5 内存容量最大可实现 512GB。TSV最早在DRAM中使用是在2014年，当时三星推出了容量高达256GB的服务器模块。

三星表示，由于DDR5电压降低、对HKMG的应用，及其他改进支持下，DDR5功耗比前一代产品降低了13%，使其特别适合于能源效率日趋重要的数据中心领域。

三星电子DRAM部门副总裁Young-Soo Sohn表示：“三星是目前唯一一家能够使用HKMG制造内存芯片的半导体厂商。通过将这种创新工艺引入到DRAM制造，我们可以为客户提供高性能、高能效的内存解决方案，为医学研究、金融市场、自动驾驶、智慧城市以及其他领域所需的应用提供动力。”

三星预计将在今年下半年开始向DDR5的过渡。三星表示，除了与两家主要的CPU供应商Intel和Advanced Micro Devices Inc.合作之外，三星还向数据中心平台的开发者发送了新内存样品。

三星打算今年开始出货，并逐步改进其制造工艺和定价。三星公司表示，DDR5对DDR4芯片的替代可能要在2023年下半年才实现。

分析师预计，DDR5芯片部件的尺寸可能比DDR4大20%左右，这可能将加大半导体供应链的压力。

但TrendForce Research副总裁Avril Wu表示，随着DDR5芯片普及率逐渐上升，DRAM的短缺问题将有所缓解，并预计DDR5最初价格会有30-40%溢价。