据TrendForce集邦咨询最新调研，由于目前三大原厂产能吃紧，DRAM市场仍处供不应求情况，整体市况已正式进入上涨周期，原厂看准机会大幅调升利基型内存（specialty DRAM）月报价，部分颗粒单月价格涨幅逼近双位数。

其中，以越小容量、越利基的产品涨幅最大。从2月合约价来看，DDR2及DDR3的涨幅仍高；DDR4则受到DDR3的追价而持续上扬，目前在利基型DRAM中仍属最大宗应用的DDR3 4Gb，其颗粒均价单月涨幅约6.8%。

大厂产能出清带动利基型内存涨势如虹

报告进一步表示，长期由台厂主导的DDR3 2Gb严重缺货的情况持续，有价无量已成该产品常态，而追价者成为造成市场高低价价差扩大的主因，本月均价涨幅近9%。而DDR4 4Gb受到DDR3 4Gb的上扬所迫，三星本月价格明显拉升，促使低价及均价成长约6%。

资料显示，利基型内存是一种特殊内存，主要用于各种嵌入式、消费电子市场，相对来说比较低端，而且占全部内存份额约为10%左右，远不如PC/服务器内存、移动内存重要。基于此，近年来三星、美光、SK海力士三大内存芯片公司都在减少利基型内存生产。

然而，自去年年末以来，利基型内存涨势超过预期。据去年12月行业媒体报道，利基型内存的价格率先大涨，现货急单价格已经上涨10-20%，接下来的2021年报价还会逐步上涨5-10%，第三季度季度旺季价格甚至有望大涨30-40%。

业界指出，利基型内存涨价跟两点因素有关：一个是三星等大厂产能转换，其此前被曝出准备将一条内存生产线改为CIS传感器芯片生产线，另一原因跟需求复苏有关，今年疫情导致数字电视、机顶盒及Wi-Fi路由器等商品需求大涨，需要的利基型内存更多。

供不应求态势至少持续至上半年 内资厂商或迎机遇

不过，随着利基型内存涨势如潮，全球几大内存芯片大厂也已放缓产能出清的步伐：

三大厂方面，三星规划将Line 13持续转换至CIS的长期策略不变，但稍有缩减原先规划的产能进度；SK海力士旧厂M10于去年底调降产能后，2021年基本上都维持在相似水位；美光随着1Z及1 alpha nm良率有所拉升，将逐步增加先进制程投片比重，因此部分20nm及更成熟的制程碍于台湾厂区空间有限，未来会慢慢挪往位于美国的Fab 6。

台厂方面，南亚科目前已将部分20及30nm的DDR4投片转换回DDR3；华邦近年重心皆在Flash业务，DRAM产能在高雄路竹厂完工前都将受到限制，因此公司选择重点支持DDR2及DDR3 1/2Gb小容量产品；力积电先前主要锁定在逻辑IC代工，但随着DDR3代工价显著上扬，将转移部份产能至DRAM。

TrendForce集邦咨询报告认为，整体而言，三大原厂的DDR3产出仍持续下滑，然下滑速度较原先预期趋缓。三大台厂则都将依据毛利高低于各产品间弹性调配产能。然而，即便所有供应商加以因应，此波利基型内存供不应求的态势至少延续至今年上半年，后续价格涨幅将视各原厂产能调整状况而定。

在此基础上，中国大陆厂商或迎来机遇，《科创板日报》根据投资者互动平台信息整理，在利基型内存领域有所布局的公司主要为内存龙头兆易创新、合肥长鑫。