存储芯片的涨价压力已从上游传导至下游，中芯国际（688981.SH）联合CEO赵海军近日在业绩会上表示，“由于存储芯片供应短缺及价格上涨，手机、网络通信设备等行业拿货偏谨慎。” 11月已经过半，存储芯片的“疯狂”却仍在持续。半导体分销商Fusion Worldwide总裁托比·贡纳曼（Toby Gonnerman）日前接受采访时透露，三星电子11月交付的32GB DDR5服务器内存条，合同价格已从9月的149美元飙升至239美元，涨幅高达60%。 有华强北存储商家告诉财联社记者，9月底还能以350元/条左右售出的一款金士顿的DDR5 16G内存条，10月涨至每条600多元，目前价格则已经接近850元/条。 这轮涨价已不同于以往任何一次消费电子周期，AI算力需求的爆发，正迫使原厂（三星电子、SK海力士）等将有限的晶圆产能，优先分配给利润更高的HBM和服务器DDR5。 这给原厂带来了高额利润，三星电子2025年第三季度（截至9月30日）财报显示，其存储业务季度销售额创历史新高；SK海力士Q3净利润也同比翻倍，并称2026年产能“已全部售罄”。 原厂的“丰收”和下游的“谨慎”同时上演，一个由AI驱动的存储新秩序正在形成。 “缺货潮恐到2027年”：原厂“谨慎”扩产 维持高景气度 国内某存储模组厂人士日前向财联社记者表示，“我们内部预判，缺货至少会到明年Q3。” 而存储老牌企业华邦电总经理陈沛铭近日在法说会上给出更激进的判断，“DDR5和DDR4的缺货潮，恐怕到2027年都不会改变。” 针对行业现状，陈沛铭认为，存储市场正在经历一场“结构性且重大的变革”。这一判断的依据，是DRAM产业的技术特性，一旦制程推进至DDR5 DRAM，就不可能“回去生产DDR4或DDR3产品”。 这意味着，AI服务器对DDR5的旺盛需求，正在对DDR4等旧制程产品形成不可逆的产能挤占。更关键的是，原厂在主观上，似乎也并不打算快速打破这种“紧缺”。 财联社记者近日以投资者身份致电佰维存储（688525.SH）董事会办公室，工作人员在电话中给出了一个行业共识，“这轮价格主要是由上游晶圆厂决定的。” “对于原厂来说，目前对于扩产什么的，他们还是比较谨慎的。”该人士进一步表示，原厂不希望“像2023年一样大幅扩产，导致大家内卷，价格一直哐哐哐跌”，而是希望能维持这种高景气度。 这种“人为控产”，叠加AI需求的真实爆发，使得供需缺口正在被量化。 CFM闪存市场最新数据显示，2025年三季度全球DRAM市场规模环比增长24.7%至400.37亿美元，NAND市场规模环比增长16.8%至184.22亿美元，三季度全球存储市场规模连续两季度成长至584.59亿美元，创季度历史新高，四季度存储市场规模将续创季度新高。至于明年，供应缺口仍在增大。 闪存市场分析师杨伊婷日前接受财联社记者采访时表示，行业预测2026年全球服务器存储产品的需求将增长40%至50%，而同期的供应增速，预计只有20%至30%。 “北美AI服务器的需求，是这一轮涨价的导火索。”杨伊婷表示，以谷歌、微软为首的大型云服务供应商（CSP），从三季度开始涌现了大量的AI服务器存储需求。北美AI服务器的需求没有落地前，原厂分给国内市场的产能很有限。 这种供应紧张的局面，在现货市场演变得尤为剧烈。“对于现货，原厂10月以来一直都处于迟迟没有报价的状态。”杨伊婷告诉财联社记者，有时原厂给出的临时价格有效期也非常短，“一周一变，一天一变。” 早前，有存储产业链人士向财联社记者透露，从10月初开始，原厂的部分Dram和Flash产品已经处于停止报价状态。 市场很快对此作出了反应，即便是DDR4这种上一代产品，价格也开始快速上涨。根据CFM闪存市场11月14日的数据，DDR4 16Gb 3200的现货价格已达到24.00美元，而10月底的价格仅为13.00美元。 模组厂商“囤货”增利 终端“没的选” 上游原厂的“控货”策略，正将A股的存储模组厂商推向矛盾境地。 一方面，提前建立的库存成了“香饽饽”。财联社记者近期以投资者身份致电江波龙（301308.SZ）问及涨价的影响，公司董办人士表示，“涨价会对公司的毛利产生正向贡献，因为公司提前有存货。” 江波龙财报显示，公司今年Q3实现净利润6.98亿元，环比增长318.94%。 威刚董事长陈立白近日也公开表示，第四季度才是存储大反弹的起点，并将公司库存目标拉升至新台币200亿元以上。 但另一方面，模组厂的“好日子”高度依赖原厂的晶圆供应，而这恰恰是当前被“挤兑”的环节。 “模组现在拿不到原厂更多的资源。”杨伊婷11月13日接受财联社记者采访时直言，模组厂实则“很难受”。 她解释了当前被撕裂的价格体系：原厂供给核心大客户（如头部手机厂）的，是涨幅相对“温和”的“合约价”；而部分模组厂和小型客户去现货市场拿货，面对的是“居高不下”，甚至“翻倍”的“现货价”，“（原厂）供应给现货市场的资源非常有限。” 面对这种由原厂主导的周期，A股厂商正试图讲述“周期之外”的故事。 （我们）除了存货以外，事实上还是有公司自己的价值的。”上述佰维存储董办工作人员在电话中强调，公司正坚持“研发封装一体化”，布局建设东莞松山湖的先进封装产线，该产线将是“国内第一梯队”。“ 如果说中游厂商尚能在“囤货增利”与“供应不足”间博弈，那么产业链最下游的终端厂商，则已几乎“没的选”。 “对于终端来说，它没的选择，不得不接受原厂逐步提高的合约价格。”杨伊婷对财联社记者表示，这直接导致了终端售价的“集体上浮”。 近期发布的红米K90系列，全系列比上一代涨价100至400元不等，小米集团（1810.HK）总裁卢伟冰此前也公开表示，来自上游的成本压力，已真实地传导到了其新品定价上。 除了直接涨价，另一种“隐性”的应对，则是“降容降配”。杨伊婷指出，对于成本非常敏感的消费类终端，在LPDDR5X（内存）等产品价格剧烈上涨的情况下，可能会采取“降容”措施。“（比如）我本来手机可以上12G，那我能用8G的，我就用8G的，我不会积极主动地提高我的容量。” 杨伊婷强调，目前eMMC、LPDDR4X等产品价格涨幅已普遍超过50%，“机顶盒、入门级手机等应用端迫于成本压力而针对部分产品进行降配”。 在此情况下，已有机构预测，在存储影响下，明年消费端行情或将下行。 TrendForce集邦咨询调查显示，存储器步入强劲上行周期，导致整机成本上扬，并将迫使终端定价上调，进而冲击消费市场。该机构下修了2026年全球智能手机及笔电的生产出货预测，从原先的年增0.1%及1.7%，分别调降至年减2%及2.4%。

美股周一开盘后，美光科技、闪迪等存储概念股恢复上涨势头。与此同时，戴尔等一众设备制造商跳水下跌。 消息面上， 摩根士丹利美国科技硬件股票研究主管Erik Woodring在最新报告中表示，随着存储芯片价格大涨，以及2026年度继续涨价的预期，大量OEM（原始设备制造商）和ODM（原始设计制造商）利润将持续承压。 报告中写道：“内存（NAND和DRAM）——服务器、存储阵列、个人电脑、智能手机等设备的关键成本构成之一——正处于定价的‘超级周期’中，驱动因素包括超大规模云服务商需求加速、产品组合转向高带宽内存，以及近年来对NAND产能的投资不足， 这些商品的现货价格在过去6个月内上涨了50%–300%，而在整个2026年内仍有可能出现每季度两位数百分比的涨幅 。近期报告也显示， 未来两个季度内存的交付率可能降至最低40%。 ” 基于硬件设备供应商利润被压缩的预期，摩根士丹利下调了多家设备制造商的评级。 其中 戴尔科技遭遇“双重下调”，评级直接从“增持”下降至“减持”，目标价也从144美元下调至110美元。 截至发稿，戴尔美股下跌超7%，较11月初高点累计下跌超25%。 （戴尔科技日线图，来源：TradingView） 分析师们表示：“我们此前已经在戴尔2027财年（注：戴尔的FY27从明年2月开始）的模型中，纳入了因产品组合向AI服务器倾斜而带来的毛利率压力；然而， 我们现在预测2027财年的毛利率将降至18.2%，较此前的预测下调220个基点，较上一财年下降240个基点。 ” 另外摩根士丹利将 惠普（Hewlett Packard）从“持有”下调至“减持” ，目标价从26美元下调至24美元。生产服务器等企业级产品的 慧与科技（Hewlett Packard Enterprise）被下调至“持有” ，目标价从28美元下调至25美元。两家公司日内均跌超4%。 不过大摩也认为，苹果公司和存储硬件制造商Pure Storage似乎对内存价格波动更具抗性。 苹果目前是该行唯一给予“增持”评级的美国科技硬件公司 ，大摩也将Pure Storage的目标价从72美元上调至90美元。 Erik Woodring表示：“我们认为，在美国的OEM厂商中，戴尔和惠普最为‘脆弱’，原因是它们对DRAM的敞口更高、近期渠道调研更趋谨慎，以及相较同行更低的运营利润率；而Pure Storage和苹果则因商业模式差异化和/或更高的软件收入占比，成为这一组里‘最具防护性’的公司。”

三星、SK海力士、铠侠、美光这四大存储龙头今年下半年都纷纷削减NAND闪存供应量。同时，三星电子、SK海力士和铠侠等正在谋划推动NAND价格上调。其中，三星目前正与海外大型客户讨论明年的供货量，并在内部考虑将价格上调20%至30%以上。 大同证券研报指出，自9月起，主流存储涨价预期和持续性大幅加强。除了HBM，DRAM、NAND闪存、SSD和机械硬盘全系列存储产品持续面临缺货涨价。近期多家存储原厂暂停DDR5报价，短短一周内，DDR5现货价格飙升25%。当前，存储市场正经历一轮显著的价格上涨周期，核心驱动因素源于两方面：首先，AI时代下多模态应用与企业级存储需求呈现爆发式增长；其次，主要存储原厂将产能优先分配给HBM等高利润产品，导致传统存储领域出现结构性供给紧张。受此影响，行业自2025年初以来供需关系持续偏紧，并在第三季度后加剧，推动NANDFlash、DDR4/DDR5等产品价格快速上涨。国信证券认为，存储缺货涨价行情有望贯穿26年全年。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 京仪装备 产品已经适配国内最先进的192层3DNAND存储芯片制造产线。公司产品已广泛用于长江存储、中芯国际、华虹集团、大连英特尔、广州粤芯等国内主流集成电路制造产线。 雅克科技 的半导体前驱体包括高介电常数（high-k）材料、硅基材料和金属材料等类别，品种较多，广泛运用于3DNAND、NORFLASH等存储芯片，DRAM内存芯片和逻辑芯片等先进制程。

“公司互连类芯片相关产品未来将持续受益于AI产业趋势，特别是AI整体由训练端向推理端的迁移，将带动更多高速互连芯片的需求。”澜起科技董事长兼CEO杨崇和今日（11月11日）在该公司第三季度业绩会上表示，存储市场需求旺盛，DDR5持续渗透及子代迭代，同时将有助于维系和提升公司相关产品的平均销售价格及毛利率。 澜起科技财报显示，今年前三季度该公司营业收入实现40.58亿元，同比增长57.83%；归母净利润为16.32亿元，同比增长66.89%。 2025年前三季度，澜起科技互连类芯片出货量显著增加。其中在2025年第三季度，DDR5内存接口芯片子代持续迭代，DDR5第三子代RCD芯片销售收入首次超过第二子代产品，DDR5第四子代RCD芯片开始规模出货。 截至2025年10月27日，澜起科技预计在未来六个月内交付的DDR5第二子代MRCD/MDB芯片在手订单金额超过人民币1.4亿元。 根据公开报道，继9月三星电子、美光、闪迪进行一轮涨价后，近日三星电子、SK海力士再次上调包括DRAM和NAND在内的存储产品价格。 澜起科技董事会秘书傅晓在业绩会上表示， 内存互连芯片的价格一般遵循如下规律，新子代产品因技术和性能升级，其起始销售价格通常较上一子代有所提高，上量后该子代产品的销售价格逐步降低。因此，行业主要通过持续的产品迭代升级，来维系甚至提高相关产品的平均销售单价。内存互连芯片的需求与内存模组需求量呈正相关，近期存储价格上涨主要体现了市场的需求较为旺盛。 关于存储芯片价格变化对公司业务影响，傅晓表示，相关趋势影响主要有两方面： 一是AI产业趋势将推动下游内存模组需求量的增长。 根据行业分析，AI服务器对内存容量的需求更大，其配置的内存模组的数量通常为通用服务器的2倍，此外，主流CPU未来支持的内存通道数也会增加，可以搭配更多的内存模组数量。 “公司的内存互连芯片与全球内存模组的出货量呈正相关，所以内存模组需求的增长将推动内存互连芯片市场规模的扩容。 ” 二是AI应用的快速发展对内存带宽的要求越来越高，从而有助于推动内存互连相关新产品的应用。 首先，会推动DDR5新子代产品的迭代升级。目前澜起科技DDR5第三子代RCD芯片支持速率6400MT/s，销售收入在今年第三季度首次超过第二子代产品，第四子代RCD芯片支持速率7200MT/s开始规模出货。 其次，AI应用也会对服务器新型高带宽内存模组（MRDIMM）及相关芯片（如MRCD/MDB）的需求有积极影响。 据介绍，澜起科技今年1月推出DDR5第二子代MRCD/MDB芯片并向客户送样，支持速率为12800MT/s，相比第一子代MRDIMM速率提升45%，是第三子代RDIMM（支持速率6400MT/s）的两倍，AI对内存带宽的要求将推动MRDIMM在下游的应用和渗透率提升。“公司将受益于这一产业趋势，同时公司产品基于开放的行业标准开发，与主流的生态系统有良好的适配性。” 澜起科技董事长杨崇和表示，展望明后年，从产业趋势来看，AI将持续推动存储需求的增长。此外针对公司的互连类芯片新产品，包括PCIe Retimer、MRCD/MDB、CKD、MXC芯片等，行业生态在持续完善，其价值也在逐步获得终端客户的认可，新产品的逐步上量将对公司业绩产生积极影响。 澜起科技目前已成功研发数据速率为32GT/s的SerDes IP，并应用于PCIe 5.0/CXL 2.0 Retimer。在此基础上，该公司进一步攻克数据速率为64GT/s 的 SerDes IP，并应用于PCIe6.x/CXL3.x Retimer 产品。目前在研的PCIe7.0 SerDes IP支持速率达128GT/s。

11月7日，湖北省省委副书记、省长李殿勋调研长江存储。 据当地媒体报道，在长江存储科技有限责任公司，李殿勋听取该公司生产经营及发展规划情况介绍，对企业依靠资产证券化手段募集研发资金，持续加强存储芯片前沿技术研发和高端产品制造，加快打造行业头部企业的规划布局给予充分肯定。 《科创板日报》记者注意到，湖北省省委副书记、省长李殿勋还提出，要依托全省存储芯片、传感器、化合物半导体等优势产业基础，围绕芯片设计、生产制造、封装测试等全链条，更大力度面向全球开展产业精准招商，持续补链延链强链，其中， 武汉市要依托头部企业加强集成电路产业精准招商，推动“世界存储之都”建设早日成势见效 。 长江存储母公司股权融资及证券化实践受关注 今年9月，长江存储母公司长江存储科技控股有限责任公司（下称：“长存集团”）举行股份公司成立大会，选举产生了股份公司首届董事会成员。这标志着长存集团完成股份制改革，治理结构将得到全面升级，也为其后续的发展引来遐想。 长存集团最新的估值已超过1600亿元。在今年4月、7月，长存集团先后完成两笔总金额累计超百亿元的融资，形成了多元化、市场化且稳定的股东阵容，涵盖国有资本、民营资本、国家集成电路产业投资基金一期及二期等产业资本、五大行等金融资本，以及市场知名私募股权投资机构。 从产业版图来看，长存集团旗下子公司涵盖长江存储、武汉新芯、长存资本、长存科服、宏茂微等多家企业，长存集团已逐步构建了“闪存制造、晶圆代工、封装测试、产业投资、园区运营与创新孵化”等业务板块协同发展的产业生态。 该业务体系涵盖了从产品研发、生产制造到产业投资、创新孵化的全价值链环节，长存集团也成为国内半导体产业发展的重要推动力量。 长存集团子公司武汉新芯正冲刺科创板IPO，于2024年9月申报获受理。上交所官网显示，武汉新芯已完成首轮问询回复，并在今年9月29日更新上市申报资料。 据了解，武汉新芯IPO拟募资48亿元。其中，43亿元将用于12英寸集成电路制造生产线三期项目的投资，5亿元将用于特色技术迭代及研发配套项目，两项目合计投资金额达310亿元。 在特色存储领域，武汉新芯是中国大陆规模最大的NOR Flash制造厂商，拥有业界领先的代码型闪存技术，制造工艺涵盖浮栅（Floating Gate）型与电荷俘获（Charge Trap）型两种主流结构。其中在浮栅工艺上的制程节点涵盖65nm到50nm；在电荷俘获工艺方面为客户一代码型闪存全球唯一晶圆代工供应商。 在数模混合领域，武汉新芯具备CMOS图像传感器制造全流程工艺，拥有多年稳定量产的BSI工艺和堆栈式工艺，技术平台布局完整；该公司12英寸RF-SOI工艺平台已经实现55nm产品量产，射频器件广泛应用于智能手机等无线通讯领域。 在三维集成领域，武汉新芯拥有硅通孔、混合键合等核心技术，其双晶圆堆叠、多晶圆堆叠、芯片-晶圆异构集成以及硅转接板技术应用不断拓展。 长存集团子公司长江存储，是国内唯一的3D NAND原厂，注册资本约1246亿元，该公司自主研发了晶栈®Xtacking®架构。 据介绍，长江存储最新的晶栈®Xtacking®4.0创新架构，具有高密度、高I/O传输速率、高能效等优势，得益于此，其第五代3D NAND的两款代表性产品，可为企业级和消费级存储带来卓越的用户体验。通过进一步优化工艺和品质可靠性，长江存储晶栈®Xtacking®架构将持续满足未来系统产品的存储需求。 当前，全球AI算力热潮持续推高存储芯片需求，行业迎来新一轮成长周期。 根据QYResearch的预测，全球存储芯片市场销售额将在2031年达到15840亿元，2025-2031年复合增长率为9.3%。 湖北省前三季度集成电路产业收入突破千亿 湖北省省委副书记、省长李殿勋提出， 武汉市要依托头部企业加强集成电路产业精准招商，切实营造国内外一流产业生态，推动“世界存储之都”建设早日成势见效 。 李殿勋此行还调研了武汉聚芯微电子股份有限公司、江城实验室。 武汉聚芯微电子是一家专注高性能模拟与混合信号芯片设计的高新技术企业。江城实验室2021年2月18日揭牌成立，其结合国家战略和市场需求，主要面向人工智能、数据中心、超算等高性能芯片需求，开展先进封装工艺研发创新，建立国家级的先进封装科研平台，同时实验室12英寸硅基芯片中试平台，可提供定制成套芯片设计与服务方案，帮助企业快速完成芯片流片。 李殿勋表示，湖北省要加快打造“产业链、创新链、人才链、资金链、服务链”深度融合的优良产业生态。要依托全省存储芯片、传感器、化合物半导体等优势产业基础，围绕芯片设计、生产制造、封装测试等全链条，更大力度面向全球开展产业精准招商，持续补链延链强链。其次，要以建设武汉国际研发中心城市为载体，面向全球集聚集成电路领域的研发人才、研发平台、研发项目等创新资源，努力攻克更多关键核心技术，塑造更多先发优势和引领型发展。 李殿勋还提出，要通过重构政府“股权投资引导体系、债权融资增信体系和多层次资本市场募资培育体系”，为集成电路这一“高技术、大资本、长周期”产业的各类创新主体、产业主体提供全链条金融支撑。 在日前举行的ACCON2025高端芯片产业创新发展大会上，据湖北省经济和信息化厅相关负责人介绍， 今年前三季度，湖北全省集成电路产业（包括高端芯片在内）营收突破千亿元，同比增长超过30%。目前，湖北全省已形成从设计、制造到封装测试，以及从材料、设备到终端应用较为完整的产业链。

据Choice数据统计，截至上周日，沪深两市 上周共447家上市公司接受机构调研 。按行业划分， 电子、机械设备和汽车行业 接受机构调研频度最高。此外，建筑装饰、环保等行业关注度有所提升。 细分领域看， 汽车零部件、通用设备和半导体 板块位列机构关注度前三名。此外，消费电子、电力等行业机构关注度提升。 具体上市公司方面，据Choice数据统计， 通宇通讯接受调研次数最多，达到4次 。从机构来访接待量统计， 安集科技、通宇通讯和吉贝尔排名前三，机构来访接待量分别达174家、129家和102家 。 市场表现看， 存储芯片概念股上周表现活跃。 德明利周三发布机构调研纪要表示，根据公开报道，继9月三星电子、美光、闪迪进行一轮涨价后，近日三星电子、SK海力士再次上调包括DRAM和NAND在内的存储产品价格；同时，海外多家头部科技厂商上调了2025财年的资本支出预期，算力基础设施建设持续扩张，服务器和数据中心的存储需求增长持续提升行业景气度， 预计四季度存储价格有望维持上涨趋势。 存储芯片行业趋势向好对相关业务具有积极影响，2025年第三季度公司综合毛利率改善明显， 10月存储价格延续上涨趋势，公司四季度业绩表现有望进一步改善。 二级市场上， 德明利周四收盘涨停，周五盘中涨停，收盘涨超8%。 艾森股份周四发布机构调研纪要表示， 公司在存储芯片领域的产品布局以电镀液与光刻胶为核心， 公司持续推进在国内头部存储客户的技术交流与产品验证。存储芯片产能扩张或将拉动材料需求量，尤其在HBM、3DNAND等先进存储技术领域，公司凭借“电镀+光刻”双工艺协同， 有望持续受益于国产替代趋势。 二级市场上， 艾森股份周四收盘涨超10%。 华海清科周三发布机构调研纪要表示，公司CMP装备订单持续保持增长，减薄装备、离子注入装备、湿法装备、晶圆再生及耗材维保等订单放量明显，划切及边抛装备也取得多家客户订单；从订单客户结构来看， 存储及逻辑订单占比较大，先进封装订单占比提升明显 。公司 目前在手订单充足 ，也将积极跟进客户的扩产计划，争取更多订单和市场份额。 精智达周三发布机构调研纪要表示，公司具备SoC测试机的长期战略技术储备。在AI时代，算力芯片和存储芯片的结合会更紧密，需要设备厂商及测试厂提供完整解决方案，存在巨大的业务机会。公司将与下游客户紧密合作，提供高端算力芯片测试方案。 江波龙周四发布机构调研纪要表示，全球目前仅少数企业具备在芯片层面开发UFS4.1产品的能力， 公司凭借自研主控芯片成功实现UFS4.1产品的突破 。经原厂及第三方测试验证，搭载公司自研主控的UFS4.1产品在制程、读写速度以及稳定性上优于市场可比产品，在获得 以闪迪为代表的存储原厂 认可的基础上，还获得多家Tier1大客户的认可， 相关导入工作正加速进行。 UFS4.1作为当前嵌入式存储领域的高端产品，是Tier1大客户的旗舰智能终端机型的首选存储配置，伴随嵌入式存储市场由eMMC向UFS加速演进，整体市场高度集中且具备广阔空间。

SMM 11月6日讯：11月6日半导体板块早间继续走高，指数盘中一度涨逾2%。个股方面，长光华芯盘中涨超17%，艾森股份涨逾12%，德明利盘中封死涨停板，海光信息、航宇微、金海通等多股纷纷涨逾8%。 而存储芯片板块今日也拉升明显，指数盘中一度拉涨超2.3%，东芯股份、杭州柯林、康强电子等多股一同跟涨。 消息面上，此前轰轰烈烈的存储芯片涨价潮仍在持续，SK海力士在11月5日表示，其已经与英伟达就明年HBM4的供应完成了价格和数量谈判。一位熟悉SK海力士的消息人士称：“HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上。” SK海力士向英伟达供应的HBM4单价已确认约为560美元（约合80万韩元）。 而此前业内预期SK海力士的HBM4单价约为500美元，但实际交付价格超出预期10%以上，比目前供应的HBM3E（约合370美元）价格高出50%以上。 TrendForce集邦咨询分析师许家源近日预测道，随着各大原厂的HBM产能释放，虽然预计2026年HBM3e可能面临供过于求压力，但新世代的HBM4具有技术门槛，仍呈供不应求态势。 东方证券研报也表示，HBM4时代，三星、SK海力士、美光有望实现“同步布局”，原厂竞争或进一步加剧。 而使用范围更广的DRAM供应紧缺的情况同样不遑多让，据Digitimes报道，三星电子在今年10月已经暂停DDR5的合约报价，SK海力士、美光等DRAM原厂随后相继跟进，导致DRAM供应链面临严重的供货中断，迫使有急需的客户只能转向现货市场抢货，进一步导致DDR5现货价格一周内大涨25%。 民生证券最新研报指出，受益于AI需求拉动，今年第四季度存储价格有望持续看涨。由于三大原厂持续有限分配先进制程产能给高阶服务器DRAM和HBM，挤占一般消费级DRAM产能，整体DRAM在第四季度有望继续上涨。 中信证券也评价称，三大存储原厂暂停DDR5报价，DDR5现货价格飙升25%，季度涨幅或达30%—50%，存储芯片涨价叠加长鑫存储大幅扩产以及HBM3产品的交付有望进一步带动上游材料端需求持续增长。同时，在外部限制或将加码的背景下，国内将加快科技自立自强步伐，国产替代与自主可控进程或将进一步加速，拉动半导体材料增量需求，建议关注长鑫产业链，重点布局国产半导体材料细分龙头。 事实上，相比于通用型存储的DRAM，HBM在关键性能，带宽功耗等方面更具优势，因此其主要聚焦高端算力场景，其可用在超级计算机中处理AI 大模型训练、宇宙模拟、基因测序等需要海量数据并行传输的任务，专门解决高端算力场景的存储瓶颈。 因此，在高端AI服务器领域，GPU搭载HBM芯片已经成为主流配置，广泛应用于高性能计算、人工智能等场景。据Yole预测，2026年HBM市场规模将达460亿美元(YoY+35%)，到2030年全球HBM市场有望达980亿美元，24-30年CAGR~33%。 民生证券认为，制造工艺是核心壁垒，重视产业链发展机遇。从产业链来看，HBM产业上游主要包括电镀液、前驱体、IC载板等半导体原材料及TSV设备、检测设备等半导体设备供应商;中游为HBM生产，下游应用领域包括人工智能、数据中心以及高性能计算等。国产HBM量产势在必行，当前国产HBM或处于发展早期，上游设备材料或迎来扩产机遇。 且值得一提的是，同样因供应紧张而涨价的DRAM，其DDR系列可用于电脑、手机、普通服务器的主内存，临时存储设备运行时的程序和数据，因此，近期DRAM的涨价也不可避免地影响到了手机市场。前段时间，国内包括oppo，vivo以及红米等在内的多款新品售价均较上一代有所上调，其中小米总裁卢伟冰更是坦言“存储成本上涨的情况高于预期，且会持续加剧。” 更令DRAM市场供应“雪上加霜”的是，早在2024年三季度，三星、SK海力士、美光等企业就开始削减部分利润率偏低的传统DRAM产能，转至生产HBM和DDR5等更高利润的产品。今年4月，海外原厂更是接连宣布将停产DDR4、LPDDR4X等旧制程DRAM产品，进一步加剧了供应紧张。 对于未来DDR4的走势，TrendForce集邦咨询分析师许家源在接受媒体采访时预测，DDR4供应紧缺的态势或将至少持续到2026年上半年，他表示，PC（个人电脑）品牌商正加速导入DDR5来应对，而电视、网通等消费领域则放缓了由DDR3转向DDR4的进程。 华西证券表示，多家厂商上调价格，未来涨价热潮或进一步加剧。此外，外部压力正转化为内部创新动力，推动中国在关键科技领域走向自主可控与产业升级。 个股方面，今日拉升涨停的德明利，其作为国内存储主控芯片及解决方案的核心企业，在国产替代进程中占据重要位置。在接受投资者活动调研时，德明利被问及对后续存储芯片价格走势的看法，公司表示，AI 浪潮下的技术快速演进与广泛应用催生了数据存储需求的爆发式增长，为存储行业注入长期发展动力。根据公开报道，继 9 月三星电子、美光、闪迪进行一轮涨价后，近日三星电子、SK 海力士再次上调包括 DRAM 和 NAND 在内的存储产品价格；同时，海外多家头部科技厂商上调了 2025 财年的资本支出预期，算力基础设施建设持续扩张，服务器和数据中心的存储需求增长持续提升行业景气度，预计四季度存储价格有望维持上涨趋势。 且因存储芯片行业趋势向好对相关业务具有积极影响，2025 年第三季度公司综合毛利率改善明显，10 月存储价格延续上涨趋势，公司四季度业绩表现有望进一步改善。

SMM 10月30日讯：自9月份以来，存储芯片行业便“涨声四起”，而在经过一个月的发酵之后，行业热度不降反增，甚至市场上还有消息称，目前部分Dram和Flash产品已停止报价，或者“一天一个价”。而存储芯片板块近几个交易日也是接连上涨，截至10月30日，存储芯片指数最高已经涨至2074.79的高位，刷新其指数上市以来的历史新高。 个股方面，江波龙盘中涨逾10%，股价最高一度冲至308元/股，同样刷新其上市以来的历史新高。聚辰股份、利尔达、商络电子、国芯科技等多股纷纷跟涨。 消息面上，据据NewDaily报道，三星、SK海力士和铠侠等核心存储玩家的SSD生产线正在满负荷运转，原因系AI服务器存储的需求远超预期，致使相关产品库存正在迅速消耗。其中，大容量SSD产品供货尤其紧张。据称，8TB SSD产品订单交付时间甚至已经排到了明年下半年。 而本周初，据财联社方面消息，据CFM闪存市场，近两周(截至10月28日)，有DDR产品报价涨幅已经达到60%。 至于存储芯片价格“涨不停”的原因，市场普遍认为，背后是AI时代，算力、数据中心等基建带来的旺盛需求。此外，HDD产品同样因旺盛的需求而出现了供应短缺的情况，据rendForce今年9月发布的报告，AI创造的庞大数据量正冲击全球数据中心存储设施，Nearline HDD（近线硬盘）已出现供应短缺，近线硬盘的交付周期已从原本的数周，急剧延长为52周以上。 今年第三季度，身为数据存储行业的排头兵，硬盘业领头羊存在的西部数据，便早已通知客户将逐步提高所有HDD产品的价格。该公司表示，其存储产品组合中每种容量的需求都达到了前所未有的水平。 而早在今年9月份，这场存储芯片涨价潮便已经开始，9月初，海外存储芯片巨头Sandisk（闪迪）宣布面向所有渠道和消费者客户的产品价格调涨超10%，主因闪存产品市场需求强劲，由于人工智能应用以及数据中心、客户端和移动领域日益增长的存储需求驱动；9月中旬，又有消息称，美光已通知客户，DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价，报价暂停时间一周，且相关产品价格或将调涨20%-30%；9月22日，因供应紧张，三星对其DRAM和NAND闪存产品进行了大幅提价，部分产品提价幅度高至30%。该消息称，三星DRAM产品的涨价幅度高达30%，NAND闪存产品的涨价幅度在5%-10%。受影响的DRAM产品包括LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X内存产品，NAND闪存产品包括eMMC和UFC产品。 据10月27日多方媒体消息，三星电子与SK海力士已在第四季度将其DRAM和NAND闪存的价格上调最高达30%，并将新的价格体系传导至客户。 存储芯片需求旺盛 订单已“开抢”多家企业业绩超预期 在AI市场的助力下，存储芯片相关企业的业绩也令人眼前一亮，SK海力士公司其底单季度的财报便凭借着11.38万亿韩元的成绩创下季度利润的历史新高。其表示，考虑到2026年DRAM和NAND全系列产品的订单已被预订一空，公司计划扩大资本支出及产能。 10月30日，全球最大的内存芯片制造商三星电子也发布了其三季度业绩报告，据报告显示，三星第三季度营收为86.1万亿韩元，同比增长8.85%，高于LSEG SmartEstimate预期的85.93万亿韩元，主要是受益于AI浪潮下芯片业务复苏，当季公司营业利润强劲反弹。 据悉，三星电子第三季度芯片业务度销售额较上一季度增长19%，其中存储芯片业务季度销售额创下历史新高。芯片业务第三季度实现营业利润7万亿韩元，同比增长80%，远高于第二季度的4000亿韩元。 对于未来的芯片市场，三星依旧报以看好态度，其在一份声明中表示，在持续的人工智能投资势头的推动下，半导体市场预计将保持强劲。展望第四季度，人工智能产业的快速增长有望开辟新的市场机会。 而数据存储制造商希捷科技在近日也公布了令人惊喜的业绩报告，据其最新的财报数据显示，第一财季营收达到26.3亿美元，同比增长21%，超过市场预估的25.5亿美元。研究公司Benchmark Equity Research分析师Mark Miller指出，希捷科技的利好因素还包括强劲的云计算需求以及搭载AI芯片的个人电脑产量增加，他表示，公司当前的订单积压已延伸至2027年。 目前市场认为，这场存储芯片的“狂欢”似乎并不会很快结束，TrendForce的高级研究副总裁Avril Wu表示，当前的内存供应紧张状况将持续到2026年，并可能持续到2027年初。 中信证券研报指出，在过去约3个季度的时间里，NAND保持相对较低的产能利用率水平，且海外存储原厂具有谨慎的资本支出预期。预计存储景气度将至少上行延续到2026年下半年，建议重视企业级SSD需求景气度，建议重点关注企业级产品进展快、涨价受益逻辑强的存储模组公司。 平安证券指出，当前海外存储原厂盈利需求急迫，且由于AI高景气，相关产能逐步转向高阶产品，叠加下半年传统备货旺季，自25Q2起DRAM和NANDFlash存储产品合约价有望筑底回升，叠加eSSD、RDIMM等企业级存储产品需求持续高企，相关存储产业链企业业绩有望迎来明显改善。

据Digitimes报道，存储龙头三星电子将针对12层HBM3E推出30%的降价策略，以试图抢占市场。 “价格战”背后的逻辑是三星产品良率爬坡速度缓慢导致的市场份额落后。直到今年9月，三星12层HBM3E产品才通过英伟达测试，并正式开始供应，预计今年第四季度出货量将达到数万片。 三星HBM3E出货时间仍然明显落后于SK海力士、美光等存储厂商。公开资料显示，早在2024年，SK海力士便已通过良率测试，并确定向英伟达供应HBM3E产品，今年上半年更是实现了16层HBM3E的量产供货；另有消息称，今年6月，美光HBM3E的良率已提高至70%以上，且预计出货量超过8层HBM3E。 在良率与市场份额明显落后的局面下，三星于今年7月被传出将针对部分客户提出HBM3E的降价提案，以促成商用合作 。彼时的三星提醒，HBM3E的供应增长速度将超过需求增长速度，预计供需关系将发生变化。短期内市场价格也可能受到影响。 不过，就产品迭代趋势而言，HBM3E仅仅是高带宽内存系列中的第五代产品。站在当下时点，高带宽内存系列第六代产品——HBM4或即将全面推出。 本月消息称，三星正在加紧推进HBM4的研发，其计划于10月27日至31日在2025年三星科技展上发布第六代12层HBM4，并计划于今年晚些时候量产。其他存储厂商方面，今年9月，SK海力士表示已完成全球首款HBM4的开发工作，已为量产做好准备。 在HBM4全面接棒老款产品的背后，是英伟达等科技巨头对AI芯片架构的全面升级。早在去年，黄仁勋就预告推出Blackwell Ultra AI芯片，且将采用HBM4内存。 而据TrendForce集邦咨询最新调查，近期英伟达积极要求Vera Rubin server rack的关键零组件供应商提高产品规格，包括HBM4的Speed per Pin须调升至10Gbps。值此背景，预计SK海力士在HBM4量产初期将维持其最大供应商的优势。 从价格趋势来看，TrendForce预测，2025年HBM的平均销售单价将同比上涨20.8%，达到1.80美元/Gb，盈利能力可观。另有机构预计明年上市的12层HBM4产品单价将达到500美元，比售价约300美元的12层HBM3e高出60%以上。 目前来看， 三星发动的HBM价格战，传导到DRAM等传统存储芯片的概率较低 。根据此前韩国KB证券研究主管Jeff Kim预计，若DRAM当前涨势持续，明年非HBM内存芯片的盈利能力甚至可能将超越HBM。据其估算，三星7-9月期间标准DRAM业务运营利润率约为40%，HBM业务则达60%。 另据日前消息，三星电子、SK海力士等存储厂商将在今年第四季度针对传统内存继续向客户调整报价，包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高达30%，从而顺应AI驱动的存储芯片需求激增趋势。

据证监会官网，长鑫科技已发布IPO辅导工作完成报告。 三个月前的7月7日，长鑫科技启动IPO辅导工作。值得留意的是， 日前其刚刚发布辅导进展第一期公告 ，公告末尾来自保荐机构中信建投和中金公司的辅导人员签名，多达34人。 截至目前，公司估值已超过1400亿元。作为长鑫科技的全资附属子公司，长鑫存储是国内规模最大、技术最先进、唯一实现大规模量产通用型DRAM的IDM（垂直整合制造）企业。辅导文件显示，长鑫科技注册资本达601.9亿元，无控股股东。第一大股东为合肥清辉集电企业管理合伙企业（有限合伙），直接持有公司21.67%股份。 兴业证券指出，长鑫存储作为国内DRAM龙头，是国内半导体产业重要稀缺标的。其援引Trendforce数据称，长鑫存储2025年底产能将达到30万片/月，同比增长近50%；另据Counterpoint预测，长鑫存储年底DDR5份额将从年初的1%提升至7%，LPDDR5份额将从2025Q1的0.5%提升至年底9%。 东方证券也认为， 作为中国大陆DRAM产业链核心企业，长鑫科技拟IPO有望通过上市融资实现业务扩张，全面利好产业链上下游。 先进存储的产能扩充，以及国产HBM产品逐步进入量产阶段，将持续利好上游设备和材料环节。 基于长鑫存储产业地位和中长期成长性，券商看好相关上下游产业链机会，建议关注：1）国产HBM产业链，关注精智达、芯源微、上海新阳、华海诚科、联瑞新材；2）DRAM端，关注受益中长期产能布局的前道设备公司：北方华创、中微公司、华海清科、拓荆科技、中科飞测、芯源微、盛美上海等，以及受益新产能释放EPS高增速的半导体材料公司：安集科技、鼎龙股份、广钢气体、雅克科技。 另据《科创板日报》不完全统计，A股中长鑫科技相关概念股包括：