1月15日，帝科股份发布投资者活动记录表，在提及2025年业绩预告时，帝科股份表示，2025年归属于上市公司股东的净利润预计亏损2亿元至3亿元（上年同期盈利3.6亿元）；扣除非经常性损益后的净利润预计盈利1.6亿元至2.4亿元（上年同期盈利4.39亿元），同比下降63.56%至45.34%。以上财务数据为初步测算结果，未经审计，与会计师事务所预沟通无重大分歧。 对于公司业绩变动的原因，帝科股份表示，公司业绩变动主要源于非经济性损益，对归属于上市公司股东的净利润的影响金额约为-4 亿至-5亿元。为应对银粉价格波动风险，公司通过白银期货合约进行对冲操作；为降低银粉采购成本和应对银粉价格波动风险，公司进行了白银租赁业务。本期，银点快速、大幅上涨，公司对白银期货和白银租赁按照资产负债表日银点计提的公允价值变动损失金额较大。 公开资料显示，帝科股份的主营业务是光伏电池金属化环节的导电银浆产品的研发、生产和销售‌。而值得一提的是， 2026年银价上涨明显，有投资者询问对全年业绩的影响情况，帝科股份回应称，公司主要采取以销定产的生产模式和以产订购的采购模式，通常在接到销售订单当天即结合销售订单、生产计划及备货情况同时下达银粉采购订单，导电银浆产品销售价格和主要银粉采购价格均以同期或相近银点价格为基础定价。此种定价模式使得银点对银粉采购价格的影响可以通过销售定价向下游客户传导，公司不直接承担银粉价格大幅波动的风险。 为进一步降低银点价格波动风险，公司对销售订单与采购订单的白银差额部分进行白银期货对冲。白银期货对冲与公司日常经营需求紧密相关，具备明确的业务基础。银点波动，影响营业收入、营业成本、投资收益和公允价值变动收益这几个利润表科目在不同期间的数据列示，不影响公司长期整体实际经营利润。 报告期内，银点快速、大幅上涨，公司对白银期货和白银租赁按照资产负债表日银点计提公允价值变动损失，属于非经常性损益，但存货不能计提增值，在期后现货实际销售时体现在销售毛利里，导致公司本期业绩预告中扣除非经常性损益前后净利润存在较大差异，并不影响公司长期整体的实际经营能力。 而值得一提的是，近期在地缘政治冲突升温的背景下，贵金属价格接连拉涨，金银价格屡刷新高。1月19日，COMEX白银盘中一度涨逾5%，截至日间收盘，沪银涨2.75%报23189元/千克。 》点击查看贵金属现货价格 》点击查看SMM金属现货历史价格走势 1月19日，SMM1#白银上午出厂参考均价为23118元/千克，均价较前一交易日涨160元/千克，涨幅为0.7%。据了解，1月19日，国内现货市场升水较上周五小幅上涨。上海地区大厂银锭持货商对TD升水150-200元/千克，个别持货商对沪期银2604升水200元/千克惜售报价。国标银锭持货商对TD升水140-150元/千克报价，河南、山东等地厂提货源对TD升水维持100元/千克报价，深圳地区两家料商跑路事件对当地需求产生短暂影响，市场观望情绪浓厚。部分贸易商提及今日大厂银锭成交受电工合金等刚需提振成交稍有好转，投资需求及国标银锭高升水成交则相对困难，市场成交整体仍偏清淡。 此外，公司在存储业务方面也有布局，帝科股份表示，DRAM市场景气度持续提升，本期公司存储芯片业务实现营业收入约5亿，收入规模和盈利能力均同比大幅增长，尤其是本期第4季度单季度实现营业收入约2.3亿，全年出货量约2,000万颗，四季度出货约660万颗，数量与盈利能力均大幅提升。报告期内，公司持续加大存储板块投入和布局，通过收购江苏晶凯实现存储业务“芯片应用性开发设计—晶圆测试—芯片封装及测试”一体化产业布局，具备高效利用多种晶圆资源的能力，形成成本优势。面对当前市场供需紧张、需求旺盛的局面，公司计划2026年将出货量目标提升至3,000万至5,000万颗，充分利用现有产能保障供应，叠加涨价因素，进一步扩大营收与归母净利润规模。管理层明确将存储业务作为第二主业，持续加大资金与资本投入，目标在未来两三年内发展成为国内领先的第三方DRAM存储模组企业。

2026年开年，存储芯片涨价潮仍在持续升级，这股涨价势头已从上游芯片制造端全面传导至消费电子、AI 硬件、AIoT终端等下游领域，引发终端产品涨价、出货量下修等连锁反应。 据行业最新数据，2026年第一季度通用型DRAM合约价格环比涨幅将达55%至60%，NAND闪存产品价格也将上升33%至38%，其中消费级大容量QLC产品涨幅不低于40%。另据韩媒报道，三星电子与SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM价格较2025年第四季度提升60%-70%。报道称，两家公司同时向个人电脑与智能手机DRAM客户提出了相近幅度的涨价方案。 “存储价格2023年三季度已走出历史底部，2024年为首轮强反弹，2024年四季度至2025年上半年的‘回调+品类分化’小周期后， 真正全面、宽基的强上行大概率在2026年兑现。 ”有券商电子研究员在接受《科创板日报》记者采访时表示， 本轮周期的核心驱动是需求错配、资本开支与技术迁移，周期或将持续到2026年末甚至2027年。 ▍笔电龙头集体调价 出货量预期下修 《科创板日报》记者注意到，存储涨价的压力现已传导至消费电子领域，智能手机、笔记本电脑等核心品类纷纷开启调价模式 ，在PC端，头部厂商的涨价动作尤为明显。 随着存储涨价潮持续发酵，联想、戴尔、惠普等都在计划涨价，涨幅最高达20%。惠普CEO Enrique Lores则警告称，2026年下半年“可能尤其艰难”，必要时将上调价格。 《科创板日报》记者致电惠普销售热线获悉，2026年开年同行业公司笔记本、PC等多类产品均已涨价，因产品定位不同涨幅存在差异；从成本端看，存储涨价幅度已达3至4倍。“其实2025年年末就已开始涨价，但涨幅较小，跨年后涨幅明显扩大。大趋势还是会继续涨，因为成本根本压不住。我们目前物料储备相对充足，还能扛一段时间，但后续涨价是必然的。”该惠普销售人员直言。 除惠普外，已有多家头部PC厂商年后出现不同程度涨价。《科创板日报》记者初步统计，参考联想官网售价，其5000元以上笔记本年初价格较2025年年末涨价幅度在500元至1500元不等。另有多名联想零售端商家表示，从2025年下旬便开始实施涨价方案，涨幅约在5%至10%。 华硕联合科技股份有限公司系统事业总经理廖逸翔12月30日签发《2026年产品价格调整说明函》，宣布预计从2026年1月5日起针对部分产品组合进行策略性价格调整。小型、低成本的计算机供应商树莓派也在2025年12月官方宣布因LPDDR4内存成本上涨，对Raspberry Pi 4和Pi 5多款产品进行价格上调。其中Pi 4的4GB和8GB版本分别从55美元和75美元涨至60美元和85美元；Pi 5的2GB至16GB版本也均有涨幅，最高达25美元。 台湾工商时报援引业内消息称，模组厂普遍面临颗粒短缺与下游配货压力，大型模组厂实际获取的颗粒量仅为原需求的30％至50％；手机与PC等传统应用被排至供货后端，多数品牌厂2026年仅能获取原定供应量的50％至70％。 涨价潮下，持续攀升的存储器价格不断侵蚀消费电子终端的盈利能力及定价弹性，出货量预期同步下调。 TrendForce集邦咨询下修了2026年全球智能手机生产出货预期，从原先的年增0.1%调整为年减2%，且再度下修2026年全球笔电出货为年减5.4%，不排除扩大至年减10.1%。其表示，倘若2026年第二季存储器价格涨幅未合理收敛，而品牌在无法顺利转嫁成本下，恐将面临低阶、消费型笔电需求进一步走弱。 ▍手机提价潮或将延续 AI眼镜毛利压力提升 除笔电外， 手机行业已明确出现因存储涨价导致的终端提价潮。2025年年底起，多家厂商陆续上调新品价格，2026年这一趋势或将延续。 IDC预测，2026年智能手机平均售价将升至465美元，整体市场营收将会达到5789亿美元，创历史新高。涨价的核心诱因离不开存储成本的飙升，该机构表示，内存半导体在智能手机的成本占比已从此前的10%至15%飙升至最近的20%以上。其中，中低端手机的存储成本占比更是接近30%，部分千元机已陷入负毛利区间。 从主流品牌调价情况来看，国内厂商的近期发布的红米K90系列、iQOO 15等新款机型较上一代涨价100-600元不等，联想、OPPO等品牌的中端机型也普遍上调售价，部分机型涨幅达20%。 存储厂商江波龙产品广泛应用于主流消费类智能终端。为进一步了解其相关情况，《科创板日报》记者以投资者身份致电该公司证券部，其工作人员表示，公司产能正常运行，产品价格变化主要跟随上游供应商报价调整，年初产品提价节奏尚不明确。与此同时，普冉股份证券部工作人员称，公司产品以NOR Flash小容量内存为主，部分产品用于手机屏幕指纹解锁等功能，占手机成本较小，影响有限。 苹果方面，TrendForce集邦咨询发表观点称，尽管面临存储器成本上升压力，苹果高度整合的供应链体系与品牌定价能力，仍能提供较大的产品线调整弹性。此外，由于苹果有长期且稳定的采购规模、明确产品节奏以及高度可预期的需求规划，支持其在存储器原厂端取得较优先的合作顺序。 爱建证券发布研报表示，iPhone在2025年完成存储容量升级后，其内存容量或在2026迎来再次升级。如此密集的持续升级，或将助推全球存储芯片市场涨价周期在2026年延续，存储行业将开启新一轮发展周期。 值得注意的是，消费电子终端另一大领域—— AI眼镜尚未因存储涨价出现普遍调价，但存储成本上涨或对其毛利产生影响。 近日，国家发展改革委、财政部联合发布《关于2026年实施大规模设备更新和消费品以旧换新政策的通知》，智能眼镜首次被纳入数码和智能产品购新补贴范围，成为本次政策调整中唯一新增的核心消费电子品类。叠加电商平台优惠后，多款主流机型价格不升反降，如XREAL在近日举行CES展上发布了旗下XREAL One AR眼镜的中期迭代产品——XREAL 1S，售价较前代降低50美元；雷鸟眼镜Air 4 Pro在某平台官方旗舰店价格从1899元优惠降至1617.85元。 有智能硬件产品负责人向《科创板日报》记者表示，存储涨价是针对全行业的。相对手机这类产品而言， AI眼镜对存储容量和性能要求不那么高，“市场也没那么强的心智，多少也影响了产品毛利，具体就看各家定价或者经营策略了”。 ▍AIoT芯片承压可控 存储产业链企业现机遇 相较于消费电子终端， AIoT芯片厂商受存储涨价的影响呈现差异化特征。 其中，端侧AIoT芯片企业瑞芯微近期在接受机构调研时表示，由于DDR4存储芯片从供应短缺到价格暴涨，公司部分客户的中高端AIoT产品存储方案从DDR4向DDR5转型，订单节奏短期受到影响已基本消除。该公司进一步表示，存储芯片的缺货、涨价会影响终端客户产品需求，但对众多新质生产力产品影响不大。同时AIoT增长势头明确、会抵消存储涨价的不利影响，公司始终看好AIoT长期蓬勃向上的发展趋势。 前述研究员表示， 随着DDR4的逐步退出，市场需求转向DDR5/DDR6。 随着DDR5速率持续拉升、架构日益复杂，DDR6世代内存接口芯片使用量及单颗复杂度、价值量均有望进一步提升，行业正在讨论采用LPDDR颗粒做成内存模组用于服务器/数据中心，这将进一步扩大接口芯片TAM。 从中期看，在DDR6 2027年商用后，通用DRAM领域的ASP与附加值将迎来新一轮结构性抬升，与HBM一起支撑DRAM行业收入与利润率中枢上移。 另一家头部AIoT芯片企业乐鑫科技在近期接受机构调研时则表示，其使用的存储主要系Nor Flash，不是DDR，平均下来存储占营收比重10%左右。由于Flash单价绝对值不高，涨价并不会对其下游需求造成重大影响。公司会提前与供应商沟通产能，适度优化库存结构，保障关键型号的连续供应。对下游会保持稳定供应与合理定价。 上述普冉股份证券部工作人员表示，公司下游客户主要为AIoT厂商，目前NOR Flash价格涨幅并不高，对下游成本提升影响较小。 与消费电子终端和AIoT芯片公司不同，存储产业链多个环节的企业已从价格飙升中受益。 近日，芯片测试技术服务商利扬芯片在互动平台表示，公司部分产品线的测试产能较为紧张，有部分客户主动要求涨价获得产量，公司会根据战略发展来决定。 除利扬芯片外，长川科技、中科飞测等同类芯片测试企业同样迎来行业爆发期。当前存储芯片测试需求激增，带动相关企业产能利用率持续攀升，半导体测试设备供应商长川科技近期在互动平台表示，目前市场需求旺盛，公司订单充足，生产经营情况一切正常。中科飞测也表示，目前公司的3D AOI设备、三维形貌量测设备、套刻精度量测设备等多种设备已经通过HBM先进封装工艺的验证并批量销售，客户基本覆盖国内主要HBM厂商，客户订单量持续增长，在手订单充沛。 上述研究员认为，在AI驱动的“超级周期”背景下，未来2-3年全球存储产业大概率处于价格中枢上移+技术迭代加速+国产替代提速的高景气阶段，DRAM/NAND特别是HBM的景气度有望延续，对应的最佳投资区间集中在上游设备材料+下游企业级模组/利基DRAM+高端封测与测试三条主线。

据媒体报道，三星与海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价，今年一季度报价将较去年第四季度上涨60%-70%。美股存储概念股集体爆发，美光科技涨超10%，再创历史新高，总市值达到3865亿美元。SanDisk收涨超27%，创去年2月份以来最大单日涨幅。西部数据涨超16%，创逾五年来最大单日涨幅。希捷科技涨14%。 中银证券认为，伴随AI驱动DRAM需求提振及国产DRAM厂商进展融资进程提速，国内DRAM全产业链有望实现加速成长。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 深科技 是国内领先的独立DRAM内存芯片封装测试企业，产品包括DRAM运存、LPDDR低功耗运存、NANDFLASH闪存及嵌入式存储的全方位产品体系。 大为股份 全资子公司大为创芯主要产品有NAND、DRAM存储两大系列，产品线覆盖DDR3、DDR4、LPDDR4X商规/宽温级、DDR5等DRAM产品，以及eMMC、BGA Nand Flash等Nand Flash产品。

证监会官网IPO辅导公示系统显示，西安紫光国芯半导体股份有限公司（下称：“紫光国芯”）近日向陕西证监局提交辅导备案，辅导券商为中信建投证券。 辅导备案显示，紫光国芯成立于2006年4月，注册资本1.36亿元，法人代表范新。公司股票于2024年6月25日在全国中小企业股份转让系统挂牌并公开转让，目前已进入创新层。 官网显示，紫光国芯前身为成立于2004年德国英飞凌西安研发中心的存储事业部，2006年分拆成为独立的奇梦达科技西安有限公司，2009年被浪潮集团收购转制成为国内公司并更名为西安华芯半导体有限公司。 2015年，紫光集团紫光国芯微电子股份有限公司收购西安华芯半导体有限公司，并更名为西安紫光国芯半导体有限公司。2019年12月，经过重组，西安紫光国芯半导体并入北京紫光存储科技有限公司。2022年紫光集团实控人变更为智广芯控股。 目前，紫光国芯隶属新紫光集团，是以存储技术为核心的产品和服务提供商。其核心业务涵盖存储颗粒产品、存储KGD产品、模组和系统产品、定制大带宽DRAM产品和CXL主控芯片产品，以及集成电路设计开发服务。 紫光国芯十余年来一直专注于存储器尤其是DRAM存储器的研发和技术积累，拥有从产品立项、指标定义、电路设计、版图设计到硅片、颗粒、内存条测试及售前售后技术支持等全方位技术积累，二十余款芯片产品和四十余款模组产品实现全球量产和销售，是国家高新技术企业、国家企业技术中心、国家知识产权优势企业，并承担多个国家级重大研发专项。 从其业绩表现来看，2023年至2025年上半年各期期末，紫光国芯分别实现营收9.136亿元、12.10亿元、7.505亿元，营收同比增幅分别为-60.56%、32.42%、38.64%；同期，其归属净利润分别为-1.989亿元、-2438万元、568.3万元，归属净利润同比增幅分别为-258.55%、87.74%、139.54%。 股权结构方面， 北京紫光存储科技有限公司持有公司8128.70万股股份，持股比例为59.63%，为公司控股股东。上市公司紫光国微为其第二大股东，持股比例6.78%。 紫光国芯前十大股东名单中，唐兴资本、中信建投投资、中信建投资本、西高投均为国有资本。 融资历程方面，紫光国芯目前共历经4轮融资，最早于2018年10月被紫光存储集团以2.2亿元收购。此后的2025年4月和12月分别完成2轮定向增发，定增对象包括西高投、陕西科控集团、深高新投、深创投等一众国有资本，中信建投投资这一金融机构，以及北汽产投、中国西电两大产业资本。

据韩国三星电子联席首席执行官最新表示，内存芯片短缺的局面“前所未有”且“极其严重”，并且内存芯片价格飙升将对智能手机价格产生不可避免的影响。 据市场追踪机构DRAMeXchange称，过去一年中，传统DDR4 DRAM的基准价格飙升了近七倍——这是自 2016 年开始追踪价格以来的最高水平；同时，NAND 闪存的价格也大幅上涨，同期涨幅超过一倍。 三星或迎来强劲财报 有分析师指出，得益于内存芯片价格的历史性飙升以及用于人工智能的高带宽内存（HDM）的复苏，三星电子即将创下有史以来最强劲的季度营业利润。 该公司预计将于本周晚些时候公布初步第四季度业绩报告，市场普遍预期其季度营业利润将达到约19万亿韩元（约合140亿美元），几乎是上一季度的三倍。还有一些分析师预测，这一数字可能首次超过20万亿韩元，达到这一里程碑主要得益于其半导体部门。 内存价格的大幅上涨反映出供应紧张。而作为全球最大的存内存芯片生产商，三星成为这一转变的最大受益者。 令投资者更加乐观的是，三星在HBM领域的地位正在提升，而HBM是人工智能加速器中的关键组件。 业内消息人士称，三星最近在向包括英伟达和博通在内的主要客户提供的第六代 HBM4 产品测试中获得了最高性能评分。HBM4 预计将部署在英伟达计划于今年晚些时候发布的下一代人工智能平台上。 从市占率来看，三星在全球HBM市场的份额稳步上升，从去年第一季度的13%增长至第三季度的超过 20%。分析人士预计，今年这一数字将超过 30%，缩小与目前市场领导者韩国SK 海力士之间的差距。 三星电子联席首席执行官兼芯片主管全永铉（Jun Young-hyun）在一份新年致辞中表示，三星HBM4的差异化竞争力得到了客户的一致好评，并宣告“三星回来了”。 近日，投资者对三星的乐观预期反映在了股票市场中。在2026年头两个交易日中，三星电子股价的单日涨幅分别为7.17%和7.47%，并引领韩国基准股指KOSPI盘中刷新历史新高。

上交所官网12月30日晚间显示，长鑫科技集团股份有限公司（下称“长鑫科技”）申报科创板IPO获交易所受理。 长鑫科技申报科创板上市拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目建设，合计总投资规模达345亿元。 值得关注的是，长鑫科技是今年7月科创板市场改革新政后，首家采用IPO预先审阅机制申报上市的公司。该制度旨在避免特定情形的科技型企业，因过早披露业务技术信息、上市计划而可能对其生产经营带来重大不利影响。 《科创板日报》记者注意到，在12月30日长鑫科技申报获受理同日，上交所网站同步披露两轮审核问询回复。 综合两轮交易所问询来看，长鑫科技控制权、盈利持续性、与兆易创新关联交易、研发支出资本化等问题是监管关注的核心焦点。 长鑫科技成立于2016年，是中国规模最大、技术最先进、布局最全的动态随机存取存储器（DRAM）研发设计制造一体化企业，采用IDM（垂直整合制造）业务模式。 根据Omdia数据显示，按照产能和出货量统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。 招股书显示，长鑫科技提供DRAM晶圆、DRAM 芯片、DRAM 模组等多元化产品方案，长鑫科技的产品主要覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，目前已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场领域。 招股书披露，长鑫科技2025年1-9月营收320.84亿元，2022年至2025年9月累计营收达736.36亿元。其中，2022年至2024年主营业务收入复合增长率达72.04%。 盈利情况方面，2024年长鑫科技尚且净亏损90亿元，但2025年火热的存储芯片行情将有望帮助长鑫科技在2025年度实现扭亏。 据招股书显示的全年业绩预计情况，2025年该公司预计实现净利润20亿元至35亿元，归母净利润为-16亿元至-6亿元，归母扣非净利润为28亿元至30亿元。 长鑫科技表示，2025年，随着公司产销规模的持续增长、产品结构的持续优化，以及2025年下半年以来DRAM产品价格的快速上涨，公司预计实现营业收入较上年同期大幅增加，净利润实现转正，归属于母公司所有者的净利润亏损金额较上年同比大幅收窄。 在上市报告期各期，长鑫科技主营业务毛利率分别为-3.67%、-2.19%、5.00%和12.72%，呈现明显改善。 该公司表示，报告期内，一方面，受公司持续进行大额固定资产及研发投入带来的折旧及摊销金额较高、规模效应尚未完全显现等因素影响，公司产品生产成本较高，另一方面，公司工艺技术水平等与三星电子、SK 海力士及美光科技相比仍有一定差距，产品结构处于持续优化状态，公司毛利率水平与国际前三家厂商相比仍较低。 招股书显示，2025年7-9月，在DRAM产品市场价格上涨、长鑫科技产销规模持续提升等因素的带动下，该公司营业收入较2024年7-9月同比大幅增长148.80%，综合毛利率上升至35.00%。 招股书显示，截至2025年6月30日，长鑫科技共拥有5589项专利，其中3116项境内专利及2473项境外专利。根据美国权威专利服务机构IFI公布数据，长鑫科技2024年美国专利授权排名全球第42位，在所有上榜的中国企业中排名第四。研发团队方面，长鑫科技拥有4653名研发人员，占公司员工总数的比例超过30%。 长鑫科技无控股股东、无实际控制人，清辉集电、长鑫集成、大基金二期、合肥集鑫、安徽省投分别持有该公司21.67%、11.71%、8.73%、 8.37%及7.91%的股权。 此外，在招股书所披露的长鑫科技股权架构中，安徽省投、阿里、腾讯、招银国际、人保资本、建信金融、国调基金、君联资本、小米产投等均位列其股东行列。 招股书所示发行前长鑫科技前十大股东情况 长鑫科技董事长为朱一明，对长鑫科技合计持股比例为2.67%。 公开资料显示，朱一明为1972年生人，清华大学及纽约州立大学双硕士背景，拥有新加坡永久居留权。 朱一明目前还是A股上市公司兆易创新的董事长。兆易创新由朱一明2005年从美国硅谷归国创办，目前A股最新市值达1470亿元，该公司同时正在冲刺在港交所的二次上市。

今日，半导体洁净室赛道集体走强。截至收盘，美埃科技、亚翔集成、圣晖集成、柏诚股份等多股涨停，太极实业、新莱应材、深桑达A等跟涨。 消息面上，日前美光在业绩说明会上表示，HBM需求的激增进一步加剧了供应压力，且未来几代HBM的这一比例还将进一步提高。此外， 而全球范围内洁净室建设的交付周期不断延长，同样制约了供应能力的快速提升 。这些供需因素导致DRAM和NAND市场全面趋紧。 美光指出，预计2026年DRAM和NAND位元出货量将增长约20%，洁净室交货时间持续延长，预计DRAM和NAND的供应紧张持续至2026年及以后。目前公司正专注于最大化现有产能的产量、推进行业领先的技术节点量产， 并投资建设新的洁净室以提升供应能力 。例如在日本广岛工厂新增洁净室空间以支持先进节点，扩大生产规模并优化工厂经济效益。 为何会制约供应能力？实际上，半导体洁净室即是将一定空间范围内的空气中的微粒子、有害气体、细菌等污染物排除，并将室内的温度、湿度、洁净度等控制在某一需求范围内，而所给予特别设计的空间。其目的旨在防止微粒对纳米级芯片电路造成短路、断路等缺陷。 作为一项系统工程，半导体洁净室建设具有较高的复杂度。据申万宏源研究，洁净室工程整体周期2年左右，洁净室施工一般开始于工程开始1年以后。 当前，受益于AI发展驱动，全球算力需求持续高增，AI芯片、存储、先进封装等市场加速扩容。如2025年台积电资本支出指引大幅提升28%-41%，中芯国际、华虹半导体等龙头维持高位，SK海力士、三星、美光三大原厂加速扩产HBM，全年行业资本开支预计达1600亿美元，同增3%。 国盛证券12月21日研报指出，大陆市场受益于国产化驱动，龙头资本开支预计持续扩张。洁净室作为保障半导体良品率和安全性的重要基础设施，需求有望持续增长，预计2025年全球及我国半导体洁净室投资约分别达1680亿元和504亿元，占行业总体资本开支约15%。 从投资层面来看，申万宏源研究指出，洁净室不同的环节议价能力不同，工程设计毛利率最高，高达40-50%，洁净室施工毛利率15-20%，土建施工毛利率最低，在10%以下。东吴证券表示，国产半导体有望加快发展，尤其是先进制程，建议关注洁净室工程板块，订单均有高增。

存储芯片的涨价压力已从上游传导至下游，中芯国际（688981.SH）联合CEO赵海军近日在业绩会上表示，“由于存储芯片供应短缺及价格上涨，手机、网络通信设备等行业拿货偏谨慎。” 11月已经过半，存储芯片的“疯狂”却仍在持续。半导体分销商Fusion Worldwide总裁托比·贡纳曼（Toby Gonnerman）日前接受采访时透露，三星电子11月交付的32GB DDR5服务器内存条，合同价格已从9月的149美元飙升至239美元，涨幅高达60%。 有华强北存储商家告诉财联社记者，9月底还能以350元/条左右售出的一款金士顿的DDR5 16G内存条，10月涨至每条600多元，目前价格则已经接近850元/条。 这轮涨价已不同于以往任何一次消费电子周期，AI算力需求的爆发，正迫使原厂（三星电子、SK海力士）等将有限的晶圆产能，优先分配给利润更高的HBM和服务器DDR5。 这给原厂带来了高额利润，三星电子2025年第三季度（截至9月30日）财报显示，其存储业务季度销售额创历史新高；SK海力士Q3净利润也同比翻倍，并称2026年产能“已全部售罄”。 原厂的“丰收”和下游的“谨慎”同时上演，一个由AI驱动的存储新秩序正在形成。 “缺货潮恐到2027年”：原厂“谨慎”扩产 维持高景气度 国内某存储模组厂人士日前向财联社记者表示，“我们内部预判，缺货至少会到明年Q3。” 而存储老牌企业华邦电总经理陈沛铭近日在法说会上给出更激进的判断，“DDR5和DDR4的缺货潮，恐怕到2027年都不会改变。” 针对行业现状，陈沛铭认为，存储市场正在经历一场“结构性且重大的变革”。这一判断的依据，是DRAM产业的技术特性，一旦制程推进至DDR5 DRAM，就不可能“回去生产DDR4或DDR3产品”。 这意味着，AI服务器对DDR5的旺盛需求，正在对DDR4等旧制程产品形成不可逆的产能挤占。更关键的是，原厂在主观上，似乎也并不打算快速打破这种“紧缺”。 财联社记者近日以投资者身份致电佰维存储（688525.SH）董事会办公室，工作人员在电话中给出了一个行业共识，“这轮价格主要是由上游晶圆厂决定的。” “对于原厂来说，目前对于扩产什么的，他们还是比较谨慎的。”该人士进一步表示，原厂不希望“像2023年一样大幅扩产，导致大家内卷，价格一直哐哐哐跌”，而是希望能维持这种高景气度。 这种“人为控产”，叠加AI需求的真实爆发，使得供需缺口正在被量化。 CFM闪存市场最新数据显示，2025年三季度全球DRAM市场规模环比增长24.7%至400.37亿美元，NAND市场规模环比增长16.8%至184.22亿美元，三季度全球存储市场规模连续两季度成长至584.59亿美元，创季度历史新高，四季度存储市场规模将续创季度新高。至于明年，供应缺口仍在增大。 闪存市场分析师杨伊婷日前接受财联社记者采访时表示，行业预测2026年全球服务器存储产品的需求将增长40%至50%，而同期的供应增速，预计只有20%至30%。 “北美AI服务器的需求，是这一轮涨价的导火索。”杨伊婷表示，以谷歌、微软为首的大型云服务供应商（CSP），从三季度开始涌现了大量的AI服务器存储需求。北美AI服务器的需求没有落地前，原厂分给国内市场的产能很有限。 这种供应紧张的局面，在现货市场演变得尤为剧烈。“对于现货，原厂10月以来一直都处于迟迟没有报价的状态。”杨伊婷告诉财联社记者，有时原厂给出的临时价格有效期也非常短，“一周一变，一天一变。” 早前，有存储产业链人士向财联社记者透露，从10月初开始，原厂的部分Dram和Flash产品已经处于停止报价状态。 市场很快对此作出了反应，即便是DDR4这种上一代产品，价格也开始快速上涨。根据CFM闪存市场11月14日的数据，DDR4 16Gb 3200的现货价格已达到24.00美元，而10月底的价格仅为13.00美元。 模组厂商“囤货”增利 终端“没的选” 上游原厂的“控货”策略，正将A股的存储模组厂商推向矛盾境地。 一方面，提前建立的库存成了“香饽饽”。财联社记者近期以投资者身份致电江波龙（301308.SZ）问及涨价的影响，公司董办人士表示，“涨价会对公司的毛利产生正向贡献，因为公司提前有存货。” 江波龙财报显示，公司今年Q3实现净利润6.98亿元，环比增长318.94%。 威刚董事长陈立白近日也公开表示，第四季度才是存储大反弹的起点，并将公司库存目标拉升至新台币200亿元以上。 但另一方面，模组厂的“好日子”高度依赖原厂的晶圆供应，而这恰恰是当前被“挤兑”的环节。 “模组现在拿不到原厂更多的资源。”杨伊婷11月13日接受财联社记者采访时直言，模组厂实则“很难受”。 她解释了当前被撕裂的价格体系：原厂供给核心大客户（如头部手机厂）的，是涨幅相对“温和”的“合约价”；而部分模组厂和小型客户去现货市场拿货，面对的是“居高不下”，甚至“翻倍”的“现货价”，“（原厂）供应给现货市场的资源非常有限。” 面对这种由原厂主导的周期，A股厂商正试图讲述“周期之外”的故事。 （我们）除了存货以外，事实上还是有公司自己的价值的。”上述佰维存储董办工作人员在电话中强调，公司正坚持“研发封装一体化”，布局建设东莞松山湖的先进封装产线，该产线将是“国内第一梯队”。“ 如果说中游厂商尚能在“囤货增利”与“供应不足”间博弈，那么产业链最下游的终端厂商，则已几乎“没的选”。 “对于终端来说，它没的选择，不得不接受原厂逐步提高的合约价格。”杨伊婷对财联社记者表示，这直接导致了终端售价的“集体上浮”。 近期发布的红米K90系列，全系列比上一代涨价100至400元不等，小米集团（1810.HK）总裁卢伟冰此前也公开表示，来自上游的成本压力，已真实地传导到了其新品定价上。 除了直接涨价，另一种“隐性”的应对，则是“降容降配”。杨伊婷指出，对于成本非常敏感的消费类终端，在LPDDR5X（内存）等产品价格剧烈上涨的情况下，可能会采取“降容”措施。“（比如）我本来手机可以上12G，那我能用8G的，我就用8G的，我不会积极主动地提高我的容量。” 杨伊婷强调，目前eMMC、LPDDR4X等产品价格涨幅已普遍超过50%，“机顶盒、入门级手机等应用端迫于成本压力而针对部分产品进行降配”。 在此情况下，已有机构预测，在存储影响下，明年消费端行情或将下行。 TrendForce集邦咨询调查显示，存储器步入强劲上行周期，导致整机成本上扬，并将迫使终端定价上调，进而冲击消费市场。该机构下修了2026年全球智能手机及笔电的生产出货预测，从原先的年增0.1%及1.7%，分别调降至年减2%及2.4%。

美股周一开盘后，美光科技、闪迪等存储概念股恢复上涨势头。与此同时，戴尔等一众设备制造商跳水下跌。 消息面上， 摩根士丹利美国科技硬件股票研究主管Erik Woodring在最新报告中表示，随着存储芯片价格大涨，以及2026年度继续涨价的预期，大量OEM（原始设备制造商）和ODM（原始设计制造商）利润将持续承压。 报告中写道：“内存（NAND和DRAM）——服务器、存储阵列、个人电脑、智能手机等设备的关键成本构成之一——正处于定价的‘超级周期’中，驱动因素包括超大规模云服务商需求加速、产品组合转向高带宽内存，以及近年来对NAND产能的投资不足， 这些商品的现货价格在过去6个月内上涨了50%–300%，而在整个2026年内仍有可能出现每季度两位数百分比的涨幅 。近期报告也显示， 未来两个季度内存的交付率可能降至最低40%。 ” 基于硬件设备供应商利润被压缩的预期，摩根士丹利下调了多家设备制造商的评级。 其中 戴尔科技遭遇“双重下调”，评级直接从“增持”下降至“减持”，目标价也从144美元下调至110美元。 截至发稿，戴尔美股下跌超7%，较11月初高点累计下跌超25%。 （戴尔科技日线图，来源：TradingView） 分析师们表示：“我们此前已经在戴尔2027财年（注：戴尔的FY27从明年2月开始）的模型中，纳入了因产品组合向AI服务器倾斜而带来的毛利率压力；然而， 我们现在预测2027财年的毛利率将降至18.2%，较此前的预测下调220个基点，较上一财年下降240个基点。 ” 另外摩根士丹利将 惠普（Hewlett Packard）从“持有”下调至“减持” ，目标价从26美元下调至24美元。生产服务器等企业级产品的 慧与科技（Hewlett Packard Enterprise）被下调至“持有” ，目标价从28美元下调至25美元。两家公司日内均跌超4%。 不过大摩也认为，苹果公司和存储硬件制造商Pure Storage似乎对内存价格波动更具抗性。 苹果目前是该行唯一给予“增持”评级的美国科技硬件公司 ，大摩也将Pure Storage的目标价从72美元上调至90美元。 Erik Woodring表示：“我们认为，在美国的OEM厂商中，戴尔和惠普最为‘脆弱’，原因是它们对DRAM的敞口更高、近期渠道调研更趋谨慎，以及相较同行更低的运营利润率；而Pure Storage和苹果则因商业模式差异化和/或更高的软件收入占比，成为这一组里‘最具防护性’的公司。”

三星、SK海力士、铠侠、美光这四大存储龙头今年下半年都纷纷削减NAND闪存供应量。同时，三星电子、SK海力士和铠侠等正在谋划推动NAND价格上调。其中，三星目前正与海外大型客户讨论明年的供货量，并在内部考虑将价格上调20%至30%以上。 大同证券研报指出，自9月起，主流存储涨价预期和持续性大幅加强。除了HBM，DRAM、NAND闪存、SSD和机械硬盘全系列存储产品持续面临缺货涨价。近期多家存储原厂暂停DDR5报价，短短一周内，DDR5现货价格飙升25%。当前，存储市场正经历一轮显著的价格上涨周期，核心驱动因素源于两方面：首先，AI时代下多模态应用与企业级存储需求呈现爆发式增长；其次，主要存储原厂将产能优先分配给HBM等高利润产品，导致传统存储领域出现结构性供给紧张。受此影响，行业自2025年初以来供需关系持续偏紧，并在第三季度后加剧，推动NANDFlash、DDR4/DDR5等产品价格快速上涨。国信证券认为，存储缺货涨价行情有望贯穿26年全年。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 京仪装备 产品已经适配国内最先进的192层3DNAND存储芯片制造产线。公司产品已广泛用于长江存储、中芯国际、华虹集团、大连英特尔、广州粤芯等国内主流集成电路制造产线。 雅克科技 的半导体前驱体包括高介电常数（high-k）材料、硅基材料和金属材料等类别，品种较多，广泛运用于3DNAND、NORFLASH等存储芯片，DRAM内存芯片和逻辑芯片等先进制程。