存储行业涨价之风势头更盛。
据台媒今日消息，近期属合约市场下游的厂商，已接获原厂通知，Q4将调涨合约价，也让合约市场客户在9月有时间向下游通知涨价。
按照原厂发出的通知，不同产品涨幅不同，但涨幅几乎都在双位数水平，其中NAND闪存Q4合约价有望涨一至两成，DRAM则约涨一成。
业界人士评估，此番原厂涨价的立场坚定明确，有可能是因为手上已握有大厂大单，产能已有特定订单可消耗，看准供需有望出现缺口，因此有底气一口气喊出涨价，也有望终结这一波存储芯片的量缩价跌走势。
另外，三星近期与客户（包括小米、OPPO及谷歌）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较现有合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。
此前三星、铠侠及SK海力士等上游NAND Flash原厂已开始拉高晶圆合约价。由于中间通路及下游系统模组厂手中库存低于正常季节水准，引发终端抢货，消费性SSD、存储卡，手机相关零组件如eMMC、eMCP价格全面走扬。
值得注意的是，本轮存储芯片涨价与市场之前的预期较为不同。
DRAM行业主要有3大原厂，NAND闪存则有5-6家。以往市场认为，DRAM原厂家数较少、供给厂商有限，有望率先反弹；而NAND闪存原厂较多，叠加消费电子需求不振，复苏时间可能较晚。时间预期上，市场预计DRAM与NAND闪存将分别在今年Q4与明年Q1，才有机会看到较明显的成长力道。
但实际情况是，本次8月NAND闪存率先明显上涨，报道预计NAND闪存的Q4合约价涨幅也将高过DRAM。
从行业供给端来看，行业已有部分厂商调降投片量，并下调2023年资本开支及产能提升预期。中信证券预计，2023年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，看好存储板块周期2023年下半年见底。
需求端而言，分析师认为目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高，看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势：1）服务器端，预计Q3需求有望实现环比增长，看好下半年DDR5服务器端需求提升，且AI服务器DRAM和NAND的容量需求分别是传统的6~8倍和3倍；2）PC端，预计今年PC出货同比下滑低两位数；3）手机及智能终端，预计今年智能手机出货同比下降中个位数，年内前低后高，库存逐季改善；4）汽车端稳健增长，预计Q3工业市场初步复苏，行业库存及需求下半年有望持续改善。
总体上，其预计下半年随着库存去化，需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇，建议关注：1）存储模组；2）存储芯片设计；3）存储配套芯片。
