7月12日，据台媒报道，法人圈传出，三星明年度旗舰机Galaxy S23将舍弃自家芯片，全数采用由台积电4纳米生产的高通下一代骁龙8 Gen 2处理器。

报道称，三星宣布领先台积电生产3纳米芯片，却在最重要的手机产品线舍弃采用自家生产的手机芯片，全数搭载台积电操刀的高通处理器。法人解读，这意味三星晶圆代工实力仍不及台积电，即便3纳米领先同行量产，在关键的芯片良率、功耗、效能表现仍不及台积电。

根据法人圈访查，三星在今年推出的Galaxy S22旗舰机型中有七成搭载高通骁龙8 Gen 1处理器，其余三成为采用AMD RDNA 2架构为基础设计的自家“Exynos 2200”芯片。

报道指出，高通骁龙8 Gen 1处理器以三星4纳米制程生产，但问世后状况频频，屡出现过热等问题。高通为此回头找台积电，推出更新版的“骁龙8 Gen 1 Plus”，并以台积电4纳米制程投片。当时，业内已出现三星制程技术不如台积电的声浪。

即便三星持续对外宣称自家晶圆代工技术在3纳米世代取得领先，但外媒Sam Mobile报道，三星考量自家生产的下一代手机芯片“Exynos 2300”功耗不佳，明年旗舰机Galaxy S23系列将全数改用高通将在今年底推出的新款旗舰芯片骁龙8 Gen 2，以让新机拥有更好的性能和更佳的功耗表现。

报道认为，虽然市场先前几度传出高通为三星晶圆代工的良率表现所困扰，但高通对此议题并没有对外评论多谈。倒是针对与晶圆代工厂之间的合作，高通保持多方押宝。其高层此前就表示，将维持多晶圆厂的合作策略，这点尤其是在供货吃紧时，可以使其维持灵活弹性。

三星往年都在年度首季发表S系列旗舰机，业界预期，Galaxy S23将在明年第1季度问世，据传最顶级的Galaxy S23 Ultra将配备2亿像素主相机，拍照能力将大幅提升，屏幕则是使用曲面设计，相机模组设计则变成一个大镜头搭配三个小镜头。