6月29日，据韩媒报道，三星电子将于6月30日开始批量生产基于全栅极（GAA）技术的3nm半导体，进而为追赶全球第一大代工企业台积电奠定了基础。

报道称，三星电子将于6月30日正式宣布大规模生产基于GAA的3nm半导体。据悉，GAA晶体管结构优于目前的FinFET结构，因为它可以减少芯片尺寸和功耗。

三星电子比台积电和英特尔更早开始使用这项新技术，这两家公司计划分别在今年下半年和明年下半年开始量产3nm芯片。