多重利好催化!半导体板块强势拉涨逾5% 德明利、赛微电子等多股涨停【热股】

来源:SMM

SMM 8月27日讯:临近午间,半导体板块快速拉涨,指数盘中一度涨逾5%,截至日间收盘,半导体指数以5.04%的涨幅报2818.27。个股方面,赛微电、昂瑞微-Uw、晶丰明源20CM涨停,和林微纳、艾为电子、炬光科技都能多股涨逾10%,德明利、先导基电以10%的涨幅封死涨停板,澜起科技、南芯科技等多股盘中均涨逾8%。

消息面上,2026年1~7月,国内以算力芯片、存储芯片为代表的集成电路行业利润同比大幅上涨,具体来看:国家统计局工业司首席统计师于卫宁解读2026年1—7月份工业企业利润数据,1—7月份,电子行业利润同比增长1.1倍,拉动全部规模以上工业企业利润增长9.3个百分点,是规模以上工业企业利润较快增长的主要支撑。其中,以算力芯片、存储芯片为代表的集成电路行业利润同比增长18.5倍,对全部电子行业利润增长贡献率超过八成。其他相关行业中,与计算机、服务器相关的计算机整机制造、计算机外围设备制造、工业控制计算机及系统制造行业利润分别增长3.3倍、2.5倍、1.6倍;电子器件制造和电子元件制造领域中,电子专用材料制造、半导体分立器件制造、电子电路制造行业利润分别增长226.8%45.8%37.1%

同时,高盛也在近日上调未来三年全球晶圆厂设备(WFE)支出预测,将2026至2028年市场规模预期分别提升至1500亿、2180亿及2810亿美元,上调幅度显著超出此前预期,折射出半导体资本开支周期正加速向上突破。

对DRAM领域的上调幅度同样惹眼,高盛将2026至2028年DRAM WFE预测分别上调至480亿、720亿及970亿美元,同比增速分别为50%、50%及35%,较此前预测的45%、45%及10%均有提升,其中2028年增速预期提升幅度最为显著。

此外,据韩国《朝鲜日报》报道,韩国DRAM出口价格持续飙升,AI驱动的HBM生产正在挤压普通内存供应。数据显示,本月1日至20日,韩国DRAM出口单价达到每公斤9.2183万美元,同比上涨401%,较2023年1月低点上涨约12.5倍。高盛预计,DRAM供应缺口将从今年的5.0%扩大至明年的5.9%,并认为“AI服务器所需的HBM以及大容量服务器DRAM正在吸收有限的生产产能,导致普通DRAM供应进一步收紧”。

TrendForce预计,到明年底,三星、SK海力士和美光用于HBM生产的晶圆投入量将占DRAM总晶圆投入的30%,但HBM占实际DRAM比特供应量仅约13%。内存厂商警告,AI需求推动的DRAM和NAND供应紧张可能持续至2027年以后。SK海力士表示,从供应端来看,2027年可能成为“内存行业历史上最严重的短缺年份”。高盛预计,供应短缺可能持续至2028年。

企业方面,英伟达超预期翻倍大增的上季度营收数据缓解了市场对AI需求边际走弱的担忧。美东时间26日周三盘后,英伟达公布,截至2026年7月26日的公司2027财年第二财季(“二季度”),营收同比增长106%至962.21亿美元,较分析师预期高逾4%,非GAAP口径下调整后每股收益(EPS)同比增长120%至2.22美元,较分析师预期高将近6%。

其中AI数据中心成为营收的主要来源,二季度数据中心收入同比增长117%至890亿美元,较分析师预期高将近4%,占公司总营收超过九成。展望三季度,英伟达预计营收中值为1080亿美元,同比增长将近90%,高于分析师预期的1051.5亿美元。

国联民生证券表示,AI需求大增叠加替代加速,国产芯片进入加速放量阶段。国产大模型持续迭代,Token调用量快速增长,头部云厂商资本开支持续向AI倾斜,算力需求景气度保持高位;与此同时,海外高端AI芯片供给仍受限制,国产替代的重要性进一步提升。

存储价格方面,国海证券指出,存储涨价链近期已出现明显预期修复,月度价格继续上涨,龙头厂商对缺货和盈利持续性的展望更趋积极。AI算力建设对电子制造资源的挤占效应仍在扩散,晶圆代工、存储等多个环节景气度持续走高;在基本面保持强劲的背景下,存储板块估值修复有望进一步打开半导体涨价链的空间。

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陈雪
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