三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上，推出了V10 Bonding V-NAND（BV-NAND）原型产品及业界首款zHBM与zNAND-O架构概念模型。 BV-NAND芯片拥有超过400层结构，采用全新晶圆键合架构，以提升存储密度与性能。相较上一代V9 NAND，其存储密度提高约58%，同时在读取、写入及输入/输出性能方面均有显著提升，能够满足人工智能系统对更高容量、更高能效存储解决方案的需求。 在zHBM与zNAND-O架构方面，三星通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内实现更大数据容量。其中，zHBM不同于传统HBM与AI处理器并列封装的方式，而是将存储垂直堆叠于AI加速器之上，从而缩短数据传输距离、提高带宽并提升能源效率。三星表示，其晶圆键合技术有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度，同时将能源效率提高3倍，并将热阻降低一半以上。