近日，东芯股份发布投资者活动记录表，其中被问及公司在DRAM产品方面的规划，东芯股份表示，公司研发的 DRAM 产品主要包括 DDR3(L)系列与 LPDDR 系列。DDR3(L)是可以传输双倍数据流的 DRAM 产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的 LPDDR1/2/4X 系列产品具有低功耗和高传输速度等特点，最大时钟频率可达 2133MHz（LPDDR4X），适用于智能终端、可穿戴设备等产品。目前海外大厂正在逐步退出利基型 DRAM 市场，供给侧正在发生结构性变化。公司正积极在海内外布局利基型 DRAM 产能，以把握潜在的市场机遇。公司预计随着市场供需格局的演变，利基型 DRAM 产品价格有望持续攀升。

东芯股份表示，公司的存储器产品主要针对各类主营存储产品，持续实施产品更新迭代策略，为网络通信、监控安防、消费电子、工业控制、汽车电子等应用领域提供多样化的存储产品解决方案。

值得一提的是，受益于存储涨价，公司2025年四季度收入预计环比增长超 50%、存储主业实现盈利。2025 年全年预计营业收入 9.21 亿元，同比增长 44%；归母净利润-2.14 ~ -1.74 亿元；扣非-2.41 ~ -2.01 亿元。2025 年四季度预计营收 3.5亿元，同比增长约 80%，环比增长约 52%。

东芯股份表示，存储价格回升带动毛利率持续提升，公司存储主业实现盈利，判断随着 2026 年行业价格持续向好，公司存储板块盈利能力有望进一步提升。此外砺算首款自研 GPU，目前少量显卡已交付客户，量产及销售拓展等工作正常推进。

具体来看2025年存储部分盈利的原因，东芯股份表示，2025 年度，公司所处的中小容量存储芯片市场受益于人工智能驱动的新一轮行业上升周期，供需结构持续优化，产品销售价格稳步回升。在此背景下，随着 5G 基站建设的持续推进、智慧城市建设带动的安防设备升级、智能穿戴设备的功能创新、以及汽车电动化与智能化的产业浪潮，公司产品所面对的网络通信、安防监控、消费电子、工业控制、汽车电子等下游应用领域需求整体呈现复苏与结构性增长。

面对上述持续向好的市场机遇，公司积极把握行业发展态势，坚定深耕存储芯片主业，通过有效的市场策略与客户拓展，带动了公司营业收入与盈利能力的同步提升。报告期内公司营业收入较上年同期增长 43.75%左右，各季度营业收入均实现环比增长；随着产品销售价格的回升，整体毛利率较上年同期相比大幅提升，各季度毛利率均实现环比增长，存储板块业务已实现盈利。

且需要注意的是，东芯股份表示，受行业上行周期影响，海外存储原厂进一步将产能转至高利润产品线，对利基型存储产品带来相应的产能挤压，导致供给出现相对紧缺的情况，公司涉及的存储产品，目前均在价格上涨的通道，呈现持续向好的态势。

此外，东芯股份还被问及当前存储产品国产化的进度，东芯股份表示，在国家信息安全和供应链自主可控的战略驱动下，存储芯片的国产化替代浪潮正澎湃汹涌。过去几年，国际贸易环境的变化深刻凸显了构建自主存储产业链的极端重要性。我国作为全球最大的电子产品生产国和存储芯片消费市场，存储芯片的自给率却长期处于低位，存在巨大的国产替代空间。国家层面持续加大政策扶持力度，从资金、技术、市场等多维度为本土存储企业提供了前所未有的发展契机。

至于存储市场的竞争格局变化，东芯股份表示，三星电子、铠侠、海力士、美光科技等海外存储巨头专注于大容量3D NAND Flash 以及 HBM 和 DDR5，并普遍实施了减产或产能调控策略。这一趋势导致其对 SLC NAND Flash、利基型 DRAM 及 DDR4等传统细分市场的投入与供给逐步减少。这一系列操作进一步加剧了DDR4 市场的供需失衡状况，从而推动价格持续攀升；另一方面，低容量 eMMC 也随着海外厂商退出 MLC NAND 市场导致货紧价扬，这一变化正加速电视机、安防、销售点终端、机顶盒等应用终端向更高容量的存储方案升级。随着海外大厂的陆续退出，以及国产化需求的不断提高，公司在相关领域的市占率有望持续提升，迎来良好的发展契机。