韩国半导体巨头SK海力士周三（3月19日）宣布，已向英伟达等主要客户交付了其第六代高带宽存储芯片产品——12层HBM4的样品。这一最新进展标志着先进内存解决方案的竞争进入了关键时刻。

12层HBM4产品拥有人工智能存储器所需的无与伦比的速度、以及基于12层标准的最高容量，行业评价其为“技术奇迹”。

它每秒可以处理超过2TB的数据，相当于在一秒钟内处理400多部全高清电影的数据，比上一代HBM3E快了60%以上，这种惊人的速度是通过将数据传输走线从1,024条增加到2,048条来实现的。

此外，SK海力士12层HBM4的最新进展还标志着该公司与台积电结盟后的首个成果。目前，台积电能够生产控制HBM4底部数据移动的基模。

SK海力士社长兼首席营销官Kim Joo-sun强调了坚持创新的承诺，称“我们一直在克服技术限制，以满足客户的需求。”

下半年完成批量生产

SK海力士从第三代产品HBM2E开始便采用先进的MR-MUF工艺，在该产品实现36GB容量方面发挥了关键作用。该工艺到目前还提高了散热和产品稳定性，解决了大容量存储器生产的技术挑战。

自其2022年推出HBM3（第四代）以来，SK海力士在HBM市场的领先地位一直没有动摇。后来又于2024年成功量产第五代HBM3E的8层和12层产品。

此外，SK海力士此次还表示，该公司计划在今年下半年完成12层HBM4批量生产的准备工作。

应主要客户英伟达首席执行官黄仁勋的要求，12层HBM4的生产计划比原计划提前了6个月，这突显出市场对尖端存储技术的需求日益增长。

SK海力士和英伟达稳定的合作关系也证明了人工智能和高性能计算技术的进步推动了需求的增长。由于英伟达在GPU和人工智能技术领域处于领先地位，投产的加速反映了业界对支持尖端应用的更快，更高效的内存解决方案的推动。