在由SMM主办的2024 NET ZERO光伏产业大会-多晶硅及硅片论坛上，隆基绿能科技股份有限公司隆基绿能硅片研发中心产品专家 付楠楠围绕“隆基泰睿硅片的技术突破与应用”的话题展开阐述。

硅单晶制备技术回顾

1. 硅单晶制备技术回顾

1.1 Cz→RCz技术发展

RCz技术的应用使光伏用单晶生产成本明显下降，并在当前行业内占技术主导地位。

1.2 RCz技术下单晶电阻率分布特征

掺杂剂的分凝导致实际电阻率分布相对较广，缩短棒长可收窄电阻率但带来生产成本的增加。

1.3 CCz技术研发

CCz技术可实现单晶头尾基本相当的电阻率。

氧含量：双坩埚拉晶，石英坩埚溶解量增加；石英内锅影响熔体对流，进而影响氧的输运。

硅原料：特殊的料块尺寸导致原料成本增加；

热场纯度：硅料粉尘、双坩埚方案、加料装置等各个环节均容易引入杂质；

CCz技术的固有缺陷导致其目前无法量产。

隆基TRCz技术工艺的开发及应用

2. TRCz技术工艺的开发

2.1 TRCz技术-从理论到实践

通过理论建模及实验验证，TRCz技术在开发初期即实现了电阻率媲美CCz的分布，且不对现有RCz炉台进行较大改造。

2.2 TRCz技术-实际产出单晶数据

TRCz开发阶段实现产出单晶电阻率范围收窄，同时少子寿命，氧，碳等质量指标水平不低于常规N型。

2.3 TRCz技术-整炉单晶电阻率分布

批量生产数据显示TRCz技术下实际晶棒头尾电阻率比值大幅缩小，对应的硅片电阻率集中度明显提升。

隆基泰睿硅片产品性能介绍

隆基泰睿硅片优势介绍

优势：

电阻集中度高：硅片一致性高，表现更优；

吸杂效果好：杂质更易吸除，寿命增益更大；

潜在优势：机械性能更优，杂质缺陷更少。

隆基泰睿硅片优势——电阻率集中度高

生产数据

更高的电阻率集中度

隆基泰睿硅片优势——吸杂效果更佳

整体来看，泰睿硅片中的Fe更易移动，通过吸杂可更有效被吸除。

通过吸杂实验——HJT测算得知，在相同的吸杂条件下，少子寿命具有更高的提升潜力。

隆基泰睿硅片优势——抑制氧缺陷

隆基泰睿硅片优势——增强机械强度

对比单晶硅体系原子间距计算值0.2376 nm与实验值0.235 nm，计算模型准确性高；

对比P掺杂体系，Sb原子半径大使得体系中整体原子间距更小，从而具有更大理论断裂强度，实现机械强度增强效果。

隆基泰睿硅片优势——提效潜力大

总结

隆基泰睿硅片：全新的硅片技术平台。

其优势是更适用、更集中、更高效。

泰睿掺杂体系中：

Fe杂质具有更低的迁移能垒，从而具有更佳的吸杂效果；

空位缺陷形成能更大，且大原子半径掺杂元素与氧原子电子云重叠度小，不易生成相关氧缺陷；

整体原子间应力相对较小，原子间间距更小，从而具有更高理论断裂强度，可实现机械强度增强；

在电阻集中与泰睿自身结构优势共同作用下，可实现电池端提效0.1%+，极限理论模拟下，搭载泰睿硅片可实现HJT电池效率提升0.09%~0.2%。