【钠电硬碳负极：彩虹电器申请硅掺杂钠离子电池硬碳负极材料专利】2024 年 8 月 20 日消息，电子科技大学、成都彩虹电器（集团）股份有限公司申请一项名为“一种硅掺杂钠离子电池硬碳负极材料及其制备方法“，公开号 CN202410524151.0，申请日期为 2024 年 4 月。本发明属于钠离子电池技术领域，特别涉及钠离子电池硬碳负极材料的改性技术，提供了一种硅掺杂钠离子电池硬碳负极材料及其制备方法，以提升硬碳负极材料的电化学性能。通过在生物质硬碳材料中引入硅掺杂，本发明显著改善了硬碳负极材料的表面及其物理化学性质，增加了缺陷和钠离子反应活性位点，从而提高了材料的放电比容量。在 0.1C 充放电倍率下，硅掺杂硬碳负极材料的首次可逆容量达到 280.7 mAh·g‑1，而未掺杂硅的硬碳负极材料的首次可逆容量仅为 206.66 mAh·g‑1，提升了35.8%。这表明，通过硅掺杂，硬碳负极材料的可逆容量得到了显著提升。