安世半导体今日宣布，位于英国曼彻斯特的新 8 英寸晶圆生产线启动，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低 RDS(on) 和低Qrr ，80 V 和100 V MOSFET。

据介绍，新生产线将立即扩大安世半导体的产能，新的 PSMN3R9-100YSF（100 V） 和 PSMN3R5-80YSF（80 V）器件将具有行业内极低的 Qrr 品质因数（RDS(on) x Qrr）。

值得一提的是，安世半导体在6月17日曾宣布，将在未来12至15个月内投资7亿美元扩建欧洲晶圆厂、亚洲封测厂以及全球研发基地。该投资将提高该公司所有工厂的制造能力，并加速氮化镓（GaN）半导体材料的应用和PMIC的研发。