西弗斯半导体投3000万美元扩建英国InP基地
来源：SMM 2026-09-28 14:57:46
分享【铟快讯】西弗斯半导体（Sivers Semiconductors）宣布投资3000万美元，扩建其位于英国格拉斯哥的磷化铟（InP）制造基地。项目完成后，连续波分布式反馈激光器年产能预计超过1亿颗；扩建将于2026年下半年启动，计划于2027年第四季度投运。公司表示，投资旨在承接AI数据中心及光网络客户的预期放量，并认为InP激光器和半导体光放大器将在高性能、低功耗光互连中发挥更重要作用。SMM认为，InP激光器产能扩张为高纯铟中期需求提供直接支撑；但企业未披露现有产量、产能利用率及单位产品铟耗，实际需求增量仍难量化。
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