据Digitimes最新报道，随着生成式AI带动高带宽存储器（HBM）及DDR5需求暴增，存储器原厂集体减产动作将进入尾声。供应链指出， 由于新制程升级带来产出单位面积减损及HBM需求上修，原厂产能利用率重回九成。 与此同时，存储器价格涨势有望持续，农历春节假期导致市场观望气氛浓厚，DRAM及NAND Wafer现货市场价格涨势较为趋缓，涨幅呈现收敛。存储器业界认为， 3月市场价格仍将延续上涨行情 ，DDR4/LPDDR4价格可望逐月调涨。 AI成了存储市场的最大增量。开源证券表示，搭载容量方面， 随着AI在各类领域的应用延伸，手机、服务器、PC中DRAM和NAND单机平均搭载容量均有增长，其中 ，服务器领域增长幅度最高，ServerDRAM和Enterprise SSD单机平均容量预估分别年增17.3%/13.2%。 供给方面， 随着需求的增长，三星、SK海力士及美光全面调升上半年稼动率 。集微网报道，原厂的稼动率及资本支出的上修，主要是反映去库存完成，而自2023年第四季起，手机及PC需求转佳，加上AI崛起带动搭载AI的终端产品陆续上市，下游需求逐步上升。预计三大供应商减产将持续至2024年中，且资本支出和产出将聚焦于利润较佳的高端产品如高频宽存储（HBM）和DDR5。 回顾主流存储产品的价格趋势，DRAM/NAND价格分别从2021Q4/2022Q3开始下跌，连跌数季，分别于2023Q4和2023Q3起回涨，目前正处于新一轮上行周期当中。 展望2024全年，集邦咨询认为DRAM和NAND价格有望连续四季看涨，预测2024Q1-Q4DRAM季涨幅中值分别为15.5%/5.5%/10.5%/10.5%、NAND季涨幅中值分别为20.5%/5.5%/10.5%/2.5%。 ▌接下来存储市场会一帆风顺吗？ 尽管在Digitimes的报道中，业界给出了乐观的大势预判，但细分来看，存储行业各产品线区别较大，且均存在终端需求修复不及预期的担忧。 据德邦证券最新的价格跟踪报告，上周（2月26日-3月3日），DRAM颗粒价格短期调整，供应商卖压加剧；而NAND价格上涨，部分产品（高容量eMMC及特定SSD）仍有固定需求支撑。 该机构表示，虽然DRAM原厂控货与上调官价，但仍因终端需求未能好转而停滞，模组表现亦是相同。现货市场整体呈现观望氛围，仍需关注后续终端需求变化情况。 对于目前市况更好的NAND产品，德邦证券表示，适逢月底月初交际，需求动能虽有陆续恢复，但因市场报价仍是相对偏高，整体终端需求修复或不如预期。 另一个问题在于，与服务器市场一样，存储市场存在“两级市况”，与AI有关的存储产品成为公司主要业绩驱动力，原厂聚焦HBM及DDR5需求方面，其他存储产品依旧缺乏增长动能。

盖世汽车讯 8月1日，半导体行业存储技术开发商Weebit Nano Limited宣布其推出的电阻式随机存取存储器（ReRAM）模块已完全符合汽车1级非易失性存储器（NVM）的指定温度要求，即125℃。这证明Weebit ReRAM适用于微控制器和其它汽车组件以及高温工业和物联网应用。 本次温度测试使用Weebit演示芯片，该芯片由研发合作伙伴CEA-Leti根据JEDEC非易失性存储器行业标准进行制造。此类标准是从三个独立晶圆批次中盲选许多硅芯片进行严格测试。 大多数用于消费和工业应用的芯片需要在0至 85 ℃的温度条件下进行长达 10 年的测试。针对先进汽车部件的测试则更为严格，需要在更高温度下进行 10 年或更长时间的合格测试，且不能出现任何故障。所有Weebit芯片都成功通过了在125℃下为期10年的整套合格测试，证明Weebit的嵌入式ReRAM IP的质量和可重复性达标，可在需要高温及可靠性的应用中使用。 图源来自Weebit Nano官网 Weebit Nano首席执行官 Coby Hanoch 表示：“成功通过鉴定属于Weebit Nano一个项目，通过该项目，我们将把ReRAM（RRAM）技术扩展到更高的温度、更长的保持时间和更高的耐用性水平。我们在与一级代工厂和半导体公司的讨论过程中发现他们对我司用于汽车和工业应用的ReRAM越来越感兴趣。能够证明Weebit ReRAM在高温下的弹性程度将继续推动讨论进程。我们相信与其他新兴的非易失性存储器（NVM）相比，ReRAM是汽车和工业应用的更好选择，这得益于其优越的高温性能、低复杂性、高成本效益和其他诸如对辐射和电磁干扰耐受性等优势。" Yole集团旗下Yole Intelligence公司内存部门首席技术与市场分析师Simone Bertolazzi表示：“嵌入式ReRAM在编程时间、耐用性和功耗等性能指标方面都优于闪存，是汽车应用的理想选择。由于主要代工厂和领先汽车MCU供应商的需求量增加，嵌入式ReRAM晶圆的数量预计将在2022年至2028年期间以大于80%的年复合增长率增长。在这一大背景下，Weebit的ReRAM 能够以较低成本上升至先进工艺节点，而现代汽车芯片正是基于这些工艺节点所设计的。Weebit Nano与行业领导者携手为这一不断增长的市场开创了电阻式存储器技术，为芯片设计人员提供了机会，助力创建性能、功耗和成本更加平衡的汽车电路。 Weebit ReRAM演示芯片由用于嵌入式应用的完整子系统组成，包括Weebit ReRAM模块、RISC-V 微控制器 (MCU)、系统接口、存储器和外设。ReRAM 模块包括128KB 1T1R ReRAM阵列、控制逻辑、解码器、IO（输入/输出通信元件）和纠错码 (ECC)。它采用独特的正在申请专利的模拟、数字电路设计和运行智能算法，大大提高存储器阵列的技术参数。Weebit将继续与CEA-Leti和 SkyWater Technology合作，将其ReRAM模块的认证扩展到更高的温度和耐用性水平。