三星、美光等大厂每颗存储芯片都在亏 700亿A股龙头产品价格下行周期或提前终止

来源：财联社2023-03-04 17:38

由于需求历史性下滑，全球存储芯片价格去年下半年创下2008年以来最大的跌幅。TrendForce数据显示，去年四季度，DRAM的平均价格暴跌34.4%，NAND Flash大跌27.7%。分析人士认为当前尚无法看到产业下行周期的终点，这波存储芯片价格跌势还没有看到尽头。

存储芯片是国内集成电路市场份额占比最大的产品类别。据《科创板日报》此前报道，当前存储芯片价格下跌主要集中于NAND、DRAM环节，且以三星、海力士、美光等国外厂商为主。而国内多家A股公司，因产品在终端应用中的价值含量相对较小，在产业链位置靠上，切中技术迭代、下游车用存储等机遇，在过去一段时期存储芯片降价潮中，受影响程度及其逻辑有所不同。

国际大厂历寒冬：亏损、减产、降薪

分析人士指出，新冠疫情爆发后，电子设备需求一度大幅增长，芯片制造商趁机扩大产能，但没过多久，消费者需求便明显下滑，芯片库存堆积如山，导致价格暴跌。此前“春风得意”的存储芯片行业正在面临一场史无前例的危机。

全球头部存储厂商最新公布的财报表现“惨淡”。季报显示，在截至去年12月的第四季度中，三星芯片业务（DS事业群）利润2700亿韩元，同比暴跌97%；SK海力士创下有史以来最大季度亏损；美光科技2023财年第一财季净亏损约2亿美元，上年同期净利润为23亿美元。据业内人士透露，存储大厂生产的每颗存储芯片几乎都在亏损，2023年集体经营亏损预估达破纪录的50亿美元。

从存储芯片需求的关键指标来看，其库存已攀升至3-4个月供应量的创纪录水准。美光科技、SK海力士和铠侠等都选择减产并延宕原先的投资计划，避免供应过剩现象加剧。分析人士指出，这些举措固然会影响企业利润，但“活下去”才是当务之急。但三星电子反其道而行之，坚持激进的资本支出计划，今年将斥资逾300亿美元进一步扩大产能，三星看好储存需求强劲的云端服务、车联网以及人工智能系统的接受度日益增加，押注长期成长。

此外，美光科技2月初宣布，将高管们的基本工资削减至多20%，并暂停发放奖金，以应对全行业的低迷。

黎明前的黑暗：有分析认为NAND Flash价格下行周期较DRAM提前终止兆易创新等A股公司本土替代空间较大

存储芯片按照断电后数据是否丢失，可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。易失性存储芯片常见的是DRAM，非易失性存储芯片常见的是NAND闪存芯片和NOR闪存芯片。应用上以DRAM和NAND Flash为主，合计占比96%。

TrendForce最新数据显示，从单季跌幅来看，用于手机与个人电脑的DRAM跌幅扩大，从22Q3的31.4%上升至34.4%；资料中心与企业客户视为主要产品的NAND闪存跌幅收窄，从22Q3的32%下降至27.7%，表现略胜DRAM一筹。TrendForce预计，今年一季度DRAM价格跌幅为13%-18%，NAND Flash价格季跌幅为10%-15%左右。

分析人士指出，NAND Flash存储器方面，历经2022下半年剧烈跌价，促使供应商积极减产，加上NAND Flash Wafer已接近现金成本，且相较DRAM具有较高的价格弹性，预计NAND Flash价格下行周期会较DRAM提前终止。根据前瞻产业研究院预测，2026年全球NAND Flash市场规模有望超过1000亿美元，未来5年CAGR达10%。

东方财富证券指出，NAND Flash已形成由三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔六大原厂组成的稳定市场格局，六者合计占比超过95%，存储芯片市场行业集中度较高，中国大陆企业市场份额较低，替代空间较大。

万联证券夏清莹2月14日发布的研报指出，在全球NAND闪存市场位居第四的西部数据减产，存储芯片库存有望进一步消化。此次减产是西部数据在存储芯片市场下行周期以来的首次减产。随着海外大厂陆续宣布减产以及缩减资本支出，产业有望加速去库存，存储领域的价格有望止跌企稳；伴随下半年宏观经济复苏、需求逐步回暖，存储芯片供需格局和库存水平有望逐步改善。

公开资料显示，中小容量存储芯片龙头东芯股份NAND Flash已具备2xnm制程的量产能力，并拥有向1xnm制程进一步迈进的经验积累和技术储备。银河证券指出，从产品能力上看，公司在NAND制程和产品性能测试上已基本具备与海外厂商竞争的能力。中泰证券王芳等2月27日发布的研报指出，兆易创新NAND产品使用38nm和24nm制程，容量涵盖1Gb-8Gb，覆盖串行和并行两种接口，同时有车规产品。2021/2022/2023年总料号38/42/44颗，其中SPINAND8/12/12颗，并口NAND30/24/26颗，车规NAND0/6/6颗，料号数量整体稳中有升。此外，长江存储产品技术领先。

暗夜里的微光：汽车电子赛道现暖意 NOR Flash和EEPROM芯片激发市场活力

汽车赛道在“存储寒冬”中呈现暖意。近几年，汽车一改传统的机械属性，进入了一个由软硬件定义汽车的新时代。根据IC Insights对几家NOR闪存厂商业绩的统计，大部分NOR闪存产品的增长主要来自汽车应用。多家厂商抢占汽车市场，再次激活了NOR Flash市场的活力。分析人士指出，汽车数字化带来的众多应用为内存产品提供了机会。结构性增长驱动NOR Flash产品需求，在汽车电子应用中极为多元。

相较于DRAM和NAND Flash，NOR Flash体量较小，市场空间上看，新型智能设备应用驱动增长，未来5年CAGR约9%。根据前瞻产业研究院预测，2021年全球NOR Flash市场规模将达27亿美元，2026年达42亿美元，对应CAGR约9%。从竞争格局来看，中国台湾旺宏、中国台湾华邦和兆易创新占领了绝大多数的市场份额。

中泰证券指出，兆易创新Nor Flash全球第三，大陆第一，份额稳定提升，在Nor领域发力点为制程优化、大容量占比提升、发展车规。东方证券指出，兆易创新车规NOR Flash在国际头部Tier1客户导入工作进展顺利，SPI NOR Flash车规级产品2Mb-2Gb容量已全线铺齐，为市场提供全国产化车规级闪存产品。在消费市场，公司NOR Flash产品客户结构以中高端客户为主。

中信证券指出，普冉股份产品主要包括NOR Flash和EEPROM，凭借独特的SONOS工艺和40nm领先制程，在中小容量领域具有突出的低功耗及高性价比优势。公司直接受益优质客户及AIoT市场放量，并已布局大容量存储芯片。

除了NOR Flash，分析人士指出，在汽车电子领域用EEPROM芯片市场需求巨大，但中高端市场主要被国外厂商占据。EEPROM芯片行业集中度高，第一梯队意法半导体和微芯科技两家2021年市占率保持在60%以上；第二梯队厂商有聚辰股份、安森美、普冉股份、上海复旦微电、艾普凌科、上海贝岭等；第三梯队则是一些地区性的小型制造商。