SiC材料特性优异，新能源汽车、光伏驱动行业成长。当前全球SiC衬底总年产能约在40~60万片等效6英寸，无法满足下游旺盛需求。此前，半导体晶圆大厂环球晶董事长徐秀兰表示，碳化硅（SiC）产能满载、供不应求，仍在持续扩产，预计今年四季度、明年一季度将贡献显著营收。

当前SiC功率器件价格较高，是硅基IGBT的3-5倍左右，但凭借优异的系统节能特性，SiC器件开始在新能源汽车、光伏、储能等领域替代硅基器件。机构指出，目前海外厂商在碳化硅领域占据先发优势，国内企业仍在起步阶段，技术不断追赶同时产能尚在爬坡，随着国内企业产品得到验证进程加速，下游厂商认可程度不断提升，海外企业与国内企业差距相对缩小，本土化具备广阔的市场空间。

据显示，相关上市公司中：

晶盛机电已成功生长出行业领先的8英寸碳化硅晶体，并建设了6英寸碳化硅晶体生长、切片、抛光环节的研发实验线，实验线产品已通过下游部分客户验证。

时代电气表示，在功率半导体领域，公司建有6英寸双极器件、 8英寸IGBT和6英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。