机构认为，碳化硅（SiC）作为第三代化合物半导体材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高等特点，SiC器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势，广泛应用于新能源车、光伏/风电、工控、射频等领域。由于技术迁移成本高、价格高企、产能紧张等因素，我们认为碳化硅仍处于渗透早期，当前主要应用于中高端新能源车、充电桩及基站射频等领域，我们预计全球SiC器件市场规模2025年将达59.79亿美元，较2020年翻5倍。建议关注：1）具备较强产业链及客户基础的SiC功率器件厂商；2）“跑马圈地”下具备稀缺有效产能的材料公司；3）产业链相关设备公司。