6月17日，据天眼查App显示，长鑫存储技术有限公司公开申请的2项专利，包括“半导体结构的制作方法及半导体结构”、“存储芯片的测试方法、装置、设备及存储介质”。

“半导体结构的制作方法及半导体结构”公开号为CN114639638A，专利摘要显示，本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域。半导体结构的制作方法包括提供基底，基底的表面形成有间隔设置的接触结构；于基底上形成包括交替层叠的支撑层及牺牲层的叠层结构，叠层结构覆盖接触结构；于叠层结构内形成隔离结构，隔离结构沿垂直于基底的方向贯穿牺牲层和部分支撑层，并通过剩余部分支撑层与基底连接，以将基底分为第一区域和第二区域；于第二区域内形成电容结构，电容结构与第二区域内的接触结构对应连接。

本公开通过隔离结构界定了第一区域和第二区域，使得第二区域获得平整的边界，提高了第一区域内填充材料的致密性，避免了第一区域内发生短路的问题，从而提高了半导体结构的电性和良率。

“存储芯片的测试方法、装置、设备及存储介质”公开号为CN114639434A，专利摘要显示，本发明提供一种存储芯片的测试方法、装置、设备及介质，涉及半导体技术领域。存储芯片的测试方法包括：在待测存储芯片的存储单元中写入测试数据；从存储单元中读取存储数据；根据测试数据和存储数据，生成待测存储芯片的测试结果。

其中，待测存储芯片的当前写入选通脉冲宽度小于待测存储芯片的标准写入选通脉冲宽度，和/或，待测存储芯片的当前读取选通脉冲宽度小于待测存储芯片的标准读取选通脉冲宽度。本发明通过制造不利于准确写入测试数据或读取存储数据的条件，从而精准检测存储芯片是否存在数据写入或读取异常的情况，提升产品良率。