【SMM光伏快讯】横店东磁申请太阳能电池的制备方法专利，降低接触电阻
来源：索比光伏网 2026-10-13 14:33:33
分享国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“太阳能电池的制备方法”的专利，公开号CN122892299A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本公开涉及太阳能电池技术领域，公开了一种太阳能电池的制备方法。太阳能电池的制备方法包括：在基底层的受光面形成第一掺杂半导体层，且在基底层的背光面形成第二掺杂半导体层;第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层中，至少其一包括交替排布的接触区和非接触区，接触区的表面相对凸出于非接触区的表面，接触区的掺杂浓度大于非接触区的掺杂浓度;或，在基底层的背光面形成交替排布的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层;第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层被配置为接触区;形成第一电极和第二电极。本公开实现区域差异化处理，降低接触电阻，提升电池的开路电压和短路电流。
专利摘要显示，本公开涉及太阳能电池技术领域，公开了一种太阳能电池的制备方法。太阳能电池的制备方法包括：在基底层的受光面形成第一掺杂半导体层，且在基底层的背光面形成第二掺杂半导体层;第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层中，至少其一包括交替排布的接触区和非接触区，接触区的表面相对凸出于非接触区的表面，接触区的掺杂浓度大于非接触区的掺杂浓度;或，在基底层的背光面形成交替排布的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层;第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层被配置为接触区;形成第一电极和第二电极。本公开实现区域差异化处理，降低接触电阻，提升电池的开路电压和短路电流。
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