【派恩杰黄兴：做好中国第三代半导体产业的“探路者”】随着集成电路芯片的晶体管密度越来越接近物理极限，单纯依靠改进制程来改善性能已经变得越来越困难，如何发展“后摩尔时代”的集成电路产业，全球都在积极寻找新技术、新方法、新路径和新思路。以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有高击穿电场、高电子迁移率、高热导率、高抗辐射等特点，适合制造高性能的功率半导体器件，成为功率半导体产业的热点。 (详情)
来源：上海有色金属网
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