日前消息指上海一家芯片制造企业已实现14纳米工艺量产，这是国内第二家芯片制造企业量产14纳米工艺，代表着国产芯片又多了一个新选择，为国产芯片的发展提供重要支持。 上海这家芯片制造企业数年前就已实现28纳米工艺量产，之后一直在推进14纳米工艺的研发，直到今年5月份传出消息指它的14纳米工艺良率已提升至25%，数个月过去真正实现14纳米工艺量产属于情理之中。 14纳米工艺无需先进的EUV光刻机，只要现有ASML可以对外出售的DUV光刻机就能实现，甚至该芯片制造企业已用于28纳米工艺生产的DUV光刻机采用多重曝光技术也能实现14纳米工艺，因此这家芯片制造企业可以在当下美国限制先进光刻机对中国芯片制造企业供应情况下也能实现14纳米工艺量产。 据悉为了加快14纳米工艺的量产，这家位于上海的芯片制造企业大举从中国台湾挖来关键技术人才，中国台湾的两大芯片代工企业早已实现14纳米工艺量产，台积电如今已推进至3纳米，联电也早在多年前就实现14纳米工艺量产，中国台湾的大量人才可以为它所用，加快了14纳米工艺研发的进程。 14纳米工艺比当前国内大量生产的28纳米工艺先进两代，可以满足更多国内芯片设计企业的需求，毕竟国内诸多芯片行业如今还在大量采用28纳米及以上工艺生产芯片，14纳米的推出将可以更好满足国内芯片设计企业的需求。 14纳米工艺是一个重要节点，它引入了FinFET技术，比28纳米工艺大幅提升了性能，对于汽车芯片等芯片可以提供更强的性能，目前仍然有较多国产汽车企业采用的骁龙820A就是一款采用14/16纳米工艺的芯片，将有助于国产汽车芯片进一步抢夺美国芯片的市场。 FinFET技术非常重要，这项技术可以演进至3纳米，台积电的第一代7纳米工艺就采用了DUV光刻机以多重曝光技术实现，因此国产芯片制造企业实现14纳米工艺也就意味着它们推进至7纳米工艺迈出了重要一步。 这几年国产芯片在美国的压力下爆发了巨大的潜力，芯片制造企业正是在美国的压力下加快研发了比14纳米工艺更先进的12纳米、相当于7纳米的N+1工艺等等，相信在它们实现14纳米工艺量产后，7纳米工艺的研发进程将大幅加快。 国内两家芯片制造企业实现14纳米工艺量产，也提升了国产芯片制造的可靠性，毕竟有了两家国产芯片制造企业14纳米，国内的14纳米工艺产能将倍增，国产芯片设计企业也有了更多选择，芯片生产供应也更有保障。 国产芯片在如此环境下加快创新，凸显出国产芯片不畏艰险的精神，即使难以获得更先进的光刻机，国产芯片也给予现有光刻机加快了芯片制造工艺的升级，相信国产芯片制造企业的技术必然会越来越先进，帮助国产芯片从芯片设计到制造都实现自主研发，这是美国没有想到的结果。 原文标题 : 中国又一家芯片制造企业量产14纳米，国产芯片制造加速推进

8月3日，四维图新宣布，旗下杰发科技国产化供应链车规级MCU芯片AC7802x正式量产。官方表示，该芯片已交付多家标杆客户并进行规模应用。 据介绍，AC7802x系列是杰发科技基于ARM Cortex-M0+内核设计的第二代高性价比车规级MCU芯片，拥有高可靠性、低功耗和小封装等特点，符合AEC-Q100 Grade 1认证，环境温度最高可支持-40~125℃，可提供TSSOP20/HVQFN32两种封装形式。 并且，AC7802x平台扩展性强，与AC7801x同封装可硬件兼容设计，软件接口兼容，方便资源扩展及平台化选型。在汽车电子电气架构集中化时代，AC7802x主要用于汽车末端小节点执行层，例如汽车电子传感器、温控、开关、车灯等车规MCU应用场景。 据悉，杰发科技成立于2013年，是四维图新全资子公司，负责四维图新汽车智能化“智云、智驾、智舱、智芯”战略布局中的“智芯”板块。 目前，杰发科技已有四代车规级 MCU 芯片量产迭代，从基于M0+和M3内核的AC780x系列和AC781x系列主打小节点执行层角色，到基于M4F内核的AC7840x系列作为中间力量，再到未来的多核拥有高算力大Pin脚主打的域控制器MCU，基本形成了汽车MCU领域全覆盖。 官方表示，杰发科技自2018年量产首颗国产车规级MCU以来，截至2022年底，累计出货量已超3000万颗，产品覆盖国内外主流整车厂与一级供应商，如长城、五菱、上汽、广汽、长安等，以及新能源汽车领导者比亚迪、蔚来、小鹏、理想等。 此次该芯片的量产，对杰发科技来说，丰富了其MCU产品序列，使客户拥有更加多元化的产品选择。同时对其来说，也是在车规级微控制器领域的持续创新和技术进步。

1月5日，金刚光伏在接受机构调研时表示，公司吴江产线已全面使用 130μm 的硅片进行量产；银包铜产品已完成内部验证，具备量产应用条件，待下游客户完成验证。酒泉 4.8GW 项目首批生产线已进场安装。 金刚光伏介绍了光伏项目情况，2021 年 6 月，公司业务转型升级，布局异质结光伏，在苏州吴江子公司投建了 1.2GW 异质结项目，该项目于 2022 年 3 月实现首片电池片下线，经过量产爬坡后单月产能已接近满产，公司吴江两条微晶产线正在持续稳定生产，产品大部分用于出口。在成本方面， 公司吴江产线已全面使用 130μm 的硅片进行量产 ；银包铜产品已完成内部验证，具备量产应用条件，待下游客户完成验证。酒泉 4.8GW 项目首批生产线已进场安装。电池片效率方面，吴江 1.2GW 电池片平均效率达 25%，未来酒泉基于双面微晶技术预计在 25.5%。 组件产能方面，公司吴江组件车间的产能是 500MW，酒泉项目规划有 2GW 的组件产能。公司现阶段的战略首先是成为一家优质高效异质结电池片供应商，因此公司主要产能跟资源规划多集中在电池片方面，公司在电池片领域做好后根据市场情况决定是否扩大组件产能，这是比较自然的方向。 关于硅片薄片化规划，公司表示， 公司吴江产线目前已全面使用 130μm 硅片，已具备应用 120μm 硅片进行量产的能力 ，未来供应没有问题及客户能接受更薄的硅片时公司会导入更薄的，公司未来的目标是实现 100μm 硅片应用。 有投资者问及公司是否有考虑寻找切片代工来解决薄片化带来的硅片供应问题，对此公司回应称，公司现阶段使用的硅片全部来源于外购成品硅片，从降本的角度来看，如未来论证清晰，切片工艺及良率能达到成本预算要求，未来会考虑通过寻找厂家代工切片来实现更薄硅片切片，寻找切片代工同时也要解决硅棒来源问题。 研发方面，公司对电镀铜技术及钙钛矿叠层方面技术都保持积极关注，电镀铜技术及钙钛矿叠层都能有效降低浆料成本、提高电池效率，目前还达不到匹配公司产线量产的要求，公司积极关注并推进研发。

台积电(TSM.US)12月29日正式宣布启动3纳米芯片的大规模生产。台积电董事长刘德音表示，对3纳米芯片的需求“非常强劲”，并补充称，该公司将在台湾新竹和台中建造2纳米工厂。 台积电正试图保持其全球最先进半导体供应商的地位。台积电将在2023年初采用产能有限的N3节点工艺，然后在2023年晚些时候转向更稳定、更高效的全面生产的N3E，随后在2024年转向N3P。到2024年，台积电还将在新竹工厂将其2纳米GAA工艺投入试生产，并在2025年进行大规模生产。 台积电表示，与5纳米制程工艺相比，3纳米制程工艺的逻辑密度将增加约70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低 25-30%。刘德音表示，3纳米芯片将在五年内创造出市场价值1.5万亿美元的终端产品。 台积电正转向下一代芯片制造业务，而此时全球电子需求正受到经济衰退威胁的打击。台积电今年将资本支出计划削减了至少10%，至360亿美元。一些分析师警告称，该公司可能会在2023年进一步推迟扩张支出。 作为台积电的竞争对手，三星于今年6月开始生产3纳米芯片，并准备在2024年推出更节能的3纳米节点工艺。目前，三星在全球半导体市场份额方面远远落后于台积电，位居第二。