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红外探测材料的发展状况及未来发展

张春霞,张鹏翔 (昆明理工大学光电子新材料研究所,云南  昆明650051)
    摘  要:红外探测仪中,半导体红外探测技术相对较为成熟,逐步由传统半导体材料向半导体异质结、半导体超晶格、半导体量子阱和半导体量子点等材料发展;人们发现超导的特性之后,设法研究超导红外探测仪,超导红外探测仪中又分SIS、热电子和超导薄膜等类型;近些年又发展了超巨磁阻红外探测仪。技术的发展使材料的灵敏度、工作温度和探测率也在不断的向高层次发展,并不断的发现新的材料。在规模上,红外探测仪将会不断的向大规模焦平面方向发展(即热成像仪);探测波长方面,要由单色向双色和多色发展;随技术的发展,红外探测仪应用也将大大的拓展。 《云南冶金》2004,(1)
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