【钨钼二维材料制超薄柔性电子产品研究突破】在对传统硅材料相关应用研究达到瓶颈时，科学家们试图寻找替代材料，二维材料因具备特殊的单原子层厚特点成为近年来的研究热门，尤其是二硫化钼（MoS2）、二硫化钨（WS2）、二硒化钼（MoSe2）、二硒化钨（WSe2）等过渡金属硫化物（TMDCs）具有优异的光电特性，比较传统硅作为晶体管材料时能够实现更高的电荷迁移率与更低的功率损耗。斯坦福大学科研人员基于二硫化钼发明了一种仅原子厚度的高性能晶体管，长度不到100纳米，但可以实现在低电压运行时耐受高电流。这使得柔性电子产品达到“薄如蝉翼”的效果成为可能。相关研究成果发表在《NatureElectronics》上。