美光日前宣布， 2021 财年（2020 年 9 月至 2021 年 8 月）资本支出将超过 95 亿美元，这比早些时候提出的90 亿美元目标增加了 5 亿美元。据悉，增加部分主要是美光向ASML采购极紫外（EUV）光刻机的预付款。

据BusinessKorea报道，美光计划在今年年底安装 ASML新一代 EUV 光刻机 3600D。在将新设备正式投入量产之前，该公司预计会先在量产线上进行试验。

根据ASML的官方信息，3400C 是其最新一代光刻设备，支持 7 和 5 纳米节点的 EUV 量产。目前3600D具体信息还未出现在官方网页上。

业内专家指出，美光将通过加强基于新一代 EUV 光刻设备的下一代 DRAM 的开发，紧跟三星电子和 SK 海力士。

针对导入 EUV 的时间，美光在今年年初曾表示已进行早期测试。当 EUV 为最具成本效益、最具经济效益的方式的时候，美光便会将 EUV 技术加入产品组合里面。美光高层表示，将在2024年开始使用EUV生产芯片。但较目前来看，美光似乎已经打算将这一计划提前。

值得关注的是，随着全球三大 DRAM 制造商三星电子、SK海力士及美光加码投资EUV 光刻设备，围绕EUV 光刻设备的采购竞争将更加激烈，ASML的订单也将变得更加抢手。