周一（1日）盘后，行业垂直媒体集微网报道称，从供应链处获悉，中芯国际已获得部分美国设备厂商的供应许可，主要涵盖成熟工艺用半导体设备等。

兴业证券研究所电子团队（下文简称“兴证电子”）当日晚些时候发布报告对上述消息进行了确认，表示经其产业链验证，中芯国际部分供应商已经拿到相关许可证。

其中，美国部分供应商中A公司已经拿到相关许可证，L公司和K公司还在等待结果，判断后边也会陆续拿到许可证，许可证以10nm为分界点，14nm及以上工艺制程相关产品获得许可，10nm及以下节点未拿到许可证。

事实上，去年年末即有报道传出，有业界人士称中芯国际已获得美国成熟制程许可证，受此消息影响，当天中芯国际H股涨幅一度扩大至10%。

随后，《科创板日报》记者于今年1月4日独家确认，中芯国际之成熟制程关键供应已获许可证。记者获悉，获得许可证的包括EDA、设备和材料等。

14nm许可超预期 中芯国际有望持续享受长工艺节点红利

兴证电子指出，根据此前判断，中芯国际拿到成熟制程许可证的确定性较强，即28nm及以上节点会拿到许可证，目前看14nm也拿到许可证，超过预期，这意味着中芯国际在先进制程领域的发展还将继续，公司会持续享受14nm这个长工艺节点的红利。

根据中芯国际去年年末透露，公司14nm工艺已在2019年第四季度量产，良率已达业界量产水准，同时第二代FinFET已进入小量试产。财报显示，以技术节点分类，中芯国际14/28纳米占其2020年第三季度、第四季度收入占比分别达到14.6%、5%。

受成熟制程需求大增以及地缘政治因素影响，中芯国际联合首席执行官赵海军在今年2月举行的2020年第四季度电话会上曾表示，2021年公司对于先进制程的想法主要有三点：

一是保证生产的连续性，公司将继续与供应商推进出口准证的申请；二是谨慎扩产，去年年底公司已经完成了15000片安装产能的目标，但离经济规模尚远，如需进一步扩产，还需要走出口许可证申请流程；三是公司会考虑加强第一代、第二代FinFET多元平台开发的部件，并拓展平台的可靠性以及竞争力。

此外，中芯国际方面预计2021年资本开支为43亿美元，其中大部分用于成熟工艺的扩产，小部分用于先进工艺。

兴证电子认为，就中芯国际本身来说，随着其他相关美国供应商陆续拿到许可证，在当前全球产能紧张的行业背景下，认为中芯国际14nm及以上工艺节点的扩产将超出之前规划，公司远期的代工市场空间进一步打开。

“卡脖子”攻克进行中 这些公司14nm已取得突破

另一方面，就产业链来说，此次中芯国际拿到许可证的事件，意味着国内晶圆厂存储厂未来的扩产可见度及确定性进一步提升，继续看好晶圆厂存储厂产业链设备材料的远期发展机会。

值得一提的是，近年来，国家政策层面反复提及加快攻克半导体先进制程等“卡脖子”技术，其国产化诉求愈发强烈。在政策的推动下，随着技术的积累，我国产业链无论在设备、材料亦或是晶圆制造领域都有了长足的进步。

设备方面，北方华创可用于14nm制程的硅刻蚀机已进入生产线验证；中微公司16nm刻蚀机已实现商业化量产，7-10nm 刻蚀机已达世界先进水平；屹唐半导体去胶和快速退火产品市占率全球第二；上海微电子光刻机应用水平为90nm，预计2022年可交付28nm浸没式DUV光刻机。

材料方面，安集科技TSV抛光液处于行业领先水平，在14nm节点已实现小规模量产；沪硅产业12英寸硅片已获客户认证产品规格超50种，8英寸及以下硅片已通过认证的产品规格超550种，产品得到台积电、中芯国际、华润微等众多芯片制造企业的认可。

晶圆制造方面，中芯国际为缩短与全球最先进制程的差距，不断加大先进制程研发投入，相继完成了28纳米HKC+工艺及第一代14纳米FinFET工艺的研发并实现量产，第二代FinFET工艺的研发也在稳健进行中并进入客户导入阶段。

同时，利用公司先进的FinFET技术在晶圆上所制成的芯片已被广泛应用于智能手机、平板电脑、机顶盒等领域，公司研发费用率高于可比上市公司约12pct。预计高端手机AP/SOC、基带芯片、CPU、GPU、矿机ASIC等下游需求的逐步上升将为先进制程差距的进一步缩小提供更强大的动力。