云南锗业子公司获华为哈勃投资入股 目前正在进行产品调整升级

【云南锗业子公司获华为哈勃投资入股 目前正在进行产品调整升级】云南锗业披露,控股子公司鑫耀半导体获得华为旗下哈勃投资的3000万元增资,上市公司放弃对此次增资的优先认缴权。云南锗业董秘对记者表示,鑫耀半导体2英寸磷化铟单晶片项目产能释放并不会太大,公司生产线拟向4寸方向升级。

SMM网讯:云南锗业(002428.SZ)披露,控股子公司鑫耀半导体获得华为旗下哈勃投资的3000万元增资,上市公司放弃对此次增资的优先认缴权。云南锗业董秘对记者表示,鑫耀半导体2英寸磷化铟单晶片项目产能释放并不会太大,公司生产线拟向4寸方向升级。

“原来生产线是2寸,现在正往4寸方向升级,所以现在产能释放并不会太大。”云南锗业董秘并透露,砷hua镓也开始往6寸方向调整,而鑫耀半导体年产5万片2英寸磷化铟单晶片项目当前依然处于试生产阶段。

据了解,鑫耀半导体未来将向哈勃投资关联方提供砷hua镓及磷化铟衬底,并保障供应,对方则结合相关产品的实际应用,为鑫耀半导体提供技术及产品验证上的反馈。

云南锗业表示,哈勃投资关联方中有专业的半导体芯片厂商,本次引进哈勃投资的主要目的是为了加强与下游厂商的沟通与协作,有利于鑫耀半导体产品质量的提升和推动其市场开拓。增资完成后,哈勃投资有权委派一名董事进入公司。

公告显示,增资完成后,上市公司的持股比例由70%稀释至53.26%,哈勃投资持股23.91%。

鑫耀半导体主要从事半导体材料砷hua镓及磷化铟衬底(单晶片)的研发、生产,2019年8月,其试生产的6英寸砷hua镓单晶片、4英寸磷化铟单晶片通过了华为海思现场核查验证。

同年12月,云南锗业宣布,将在原年产5万片2英寸磷化铟晶片生产线基础上,扩建年产15万片4英寸产线。“本次扩建项目并非市场传言的为了配套华为海思,当然如果华为海思有需要,也可以给它供货。”董秘解释称。

记者注意到,2019年,云南锗业亏损5914.5万元。在其11家主要子公司中,只有鑫耀半导体贡献利润,当年盈利1213.93万元。今年上半年,云南锗业整体净利润只有173.34万元,而鑫耀半导体实现净利润429.37万元,依旧是云南锗业主要子公司中利润最高的。

根据半年报,上半年云南锗业生产非锗半导体材料级产品10.37万片(折合4英寸计算),半导体材料实现营收3233.67万元,其中大部分是由鑫耀半导体贡献,后者上半年实现营收3239.77万元。

不过,今年上半年,鑫耀半导体营收、净利润同比分别下滑22.2%和67.32%。“主要是产品结构调整的原因,除了尺寸大小,同样尺寸的产品类别也很复杂,以砷hua镓为例,如果LED级的占比高,那它的毛利率就下来了。”云南锗业董秘告诉财联社记者。

值得一提的是,去年9月,鑫耀半导体另一股东将其持有的15.71%对外转让,云南锗业同样放弃了优先购买权,自然人朱蓉辉获得该笔股权。云南锗业解释称,是为了在保持控股地位的情况下引进管理运营团队。

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