​Cree加速扩充SiC产能

美国化合物大厂Cree昨日在其官方公众号宣布,公司于去年9月宣布将在美国纽约州 Marcy 建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的 200 mm 碳化硅(SiC)功率和射频(RF)制造工厂。而现在,该工厂目前已经完成基础工程施工,并开始主体工程施工。

SMM网讯:美国化合物大厂Cree昨日在其官方公众号宣布,公司于去年9月宣布将在美国纽约州 Marcy 建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的 200 mm 碳化硅(SiC)功率和射频(RF)制造工厂。而现在,该工厂目前已经完成基础工程施工,并开始主体工程施工。

Cree表示,这一新制造工厂旨在显著提升用于 Wolfspeed 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)业务的产能,将建设成为一座规模庞大、高度自动化且具备更高生产能力的工厂。这一位于纽约州的先进 fab,和位于北卡罗莱纳州的超级材料工厂(mega materials factory),将创建在美国东海岸的碳化硅(SiC)走廊,推进碳化硅(SiC)被更为快速地采用。

Cree将投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能

去年五月,Cree方面宣布,作为公司长期增长战略的一部分,将投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。这项标志着公司迄今为止最大的投资,将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后,这些工厂将极大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能,使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。

Cree首席执行官Gregg Lowe先生表示:“我们不断地看到在汽车和通讯设施领域采用SiC碳化硅的优势来驱动创新所产生的巨大效益。但是,现有的供应却远远不能够满足我们对于SiC碳化硅的需求。今天,我们宣布了公司迄今在生产制造的最大投资,将大幅地提升供应,帮助客户为市场提供变革性的产品和服务。这项在设备、基础设施、公司人力方面的巨大投入,将为我们显著扩大产能。与2017财年第一季度(也就是我们开始扩大产能的第一阶段)相比较,能够带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和材料生产的30倍增长。我们相信这将使得我们能够满足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在δ来5年乃至更长远的预期增长。”

这项计划将为业界领先的Wolfspeed SiC碳化硅业务提供附加产能。通过增建现有的建筑设施,作为面积253,000平方英尺的200mm功率和RF射频晶圆制造工厂,迈出满足预期市场需求的第一步。新的North Fab将被设计成能够全面满足汽车认证的工厂,其生产提供的晶圆表面积将会是今天现有的18倍,刚开始阶段将进行150mm晶圆的生产。公司将把现有在达勒姆的生产和材料工厂转变为一座材料超级工厂。

Cree首席执行官Gregg Lowe先生同时还表示:“这些SiC碳化硅制造超级工厂,将加速当今最快增长市场的创新。通过提供解决方案,帮助提高EV电动汽车的行驶里程并减少充电时间,同时支持5G网络在全世界的部署。我们相信这代表着SiC碳化硅和GaN氮化镓技术和制造有史以来最大的资本投资,也是一种在财政上负责任的方式。通过采用现有工厂和安装绝大部分的整新工具,我们相信我们可以实现提供最先进技术的200mm fab,并且成本大约仅为一座新fab的1/3。”

扩大的园区将创造高科技就业机会,并提供先进制造人才发展计划。Cree计划与州、当地和四年制院校开展培训项目,为新工厂所带来的长期、高端就业和成长机遇提供人才储备。

罗姆和昭和电工也在扩充SiC产能

罗姆在早前发布新闻稿宣称,将扩增使用于电动车 (EV) 等用途的碳化硅 (SiC) 电源控制芯片产能,将在旗下生产子公司「ROHM Apollo」的筑后工厂 (福冈县) 内兴建新厂房,预计于 2019 年 2 月动工、2020 年 12 月完工。此外,罗姆于 SiC 电源控制芯片事业策略说明会上表示,将投资约 200 亿日圆,于 2020 年倍增 SiC 电源控制芯片产能,而罗姆也考虑于宫崎县进行增产投资,在 2025 年 3 月底前累计将投资 600 亿日圆,届时将 SiC 电源控制芯片产能大幅扩增至 2016 年度 16 倍。

另外,日本昭和电工也多次发表了产能扩充声明。该公司之前分别于 2017 年 9 月、2018 年 1 月宣布增产 SiC 晶圆,不过因 SiC 制电源控制晶片市场急速成长、为了因应来自顾客端旺盛的需求,因此决定对 SiC 晶圆进行第 3 度的增产投资。昭和电工 SiC 晶圆月产能甫于 2018 年 4 月从 3,000 片提高至 5,000 片 (第 1 次增产),且将在2019年 9 月进一步提高至 7,000 片 (第 2 次增产),而进行第 3 度增产投资后,将在 2019 年 2 月扩增至 9,000 片的水准、达现行 (5,000 片) 的 1.8 倍。

除了晶圆供应商扩产,下游的代工厂也在加速布局,迎接即将爆发的 SiC 热潮。

X-Fab 在去年九月宣布,计划将其位于德克萨斯州 6 英寸 SiC 工艺工厂产能翻番,以满足客户对高效功率半导体器件日益增长的需求。为了使容量翻倍,X-Fab德州工厂购买了第二台加热离子注入机,用于制造 6 英寸 SiC 晶圆。预计到在 2019 年第一季度及时生产,以满足预计的近期需求。

X-Fab 德州工厂的 Lloyd Whetzel 说:“随着 SiC 的日益普及,我们早就明白,提高离子注入能力是我们在 SiC 市场上的持续制造成功的关键。但这只是我们针对特定 SiC 制造工艺改进的总体资本计划的第一步。这体现了 X-Fab 对 SiC 行业的承诺,并保持我们在 SiC 铸造业务中的领导地位。”

来自我国台湾地区的晶圆代工厂汉磊在去年八月也宣布,决定扩大碳化硅(SiC)产能,董事会决议斥资 3.4 亿元新建置 6 吋 SiC 生产线,为台湾地区第一家率先扩增 SiC 产能的代工厂,预计明年下半年可以展开试产。据了解,汉磊目前已建立 4 吋 SiC 制程月产能约 1500 片,预计将现有 6 吋晶圆厂部分生产线改为 SiC 制程生产线,先把制程建立起来,以满足车载、工控产品等客户强劲需求,因 6 吋的 SiC 售价达 4000 美元(约 12 万台币),估计每月只要产出 2000 到 3000 片,带动营收就可望增加 2、3 亿元以上。

芯片厂方面,意法半导体、罗姆、英飞凌和力特等厂商都在卯足劲扩充自己的势力,这个市场的一场角逐大战,必将打响。

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