抢占第三代半导体风口 中科钢研加速碳化硅布局

SMM网讯:作为第三代半导体材料“双雄”之一,碳化硅(SiC)凭借其在高温、高压、高频等条件下的优异性能表现,成为当今最受关注的半导体材料之一。国内不乏SiC势力,中科钢研就是其一。

中科钢研是由国务院国资委于2016年批复成立的新型央企控股混合所有制企业。据其官网介绍,中科钢研先后开发了高品质、大规格蓝宝石晶体制备工艺技术及长晶装备;高品质碳化硅晶体及衬底片制备工艺技术及长晶装备;石墨烯碳纳米电热膜生产工艺技术及生产线等多项达到国际一流技术水平。上述多项技术填补了国内行业空白。

2017年2月,中科钢研“碳化硅重点实验室”获评为“第三代半导体材料制备关键共性技术北京市工程实验室”,并于2018年先后被选举为“第三代半导体产业技术创新战略联盟”第一届副理事长单位,“中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟”副理事长单位。

据悉,该实验室根据产品市场前景、技术的先进性与成熟性选择了升华法和高温化学气相沉积法两种长晶技术作为研发方向,快速掌握了高品质、大规格碳化硅长晶工艺技术及其装备。

在刚刚过去的2019年,中科钢研第三代半导体布局也取得一些进展。

2019年2月23日,位于南通的中科钢研产业项目开工,该项目建成达产后,可年产石墨烯碳纳米电热膜1200万延米、4英寸N型碳化硅晶体衬底片5万片、6英寸N型碳化硅晶体衬底片5万片、4英寸高纯度半绝缘型碳化硅晶体衬底片1万片、4/6英寸碳化硅电力电子芯片6万片。

2019年3月,位于青岛市莱西经济开发区的中科钢研碳化硅项目传出新消息,预计项目在2019年投产。中科钢研碳化硅青岛项目总投资10亿元,主要生产高品质、大规格碳化硅晶体衬底片。项目全部达产后,可实现年产5万片4英寸碳化硅晶体衬底片,5000片4英寸高纯度半绝缘型碳化硅晶体衬底片。

技术方面,在2019年5月10日,中科钢研官方也表示,其具有自主知识产权的六英寸碳化硅单晶生长装备顺利投入使用,进入六英寸碳化硅单晶生长工艺验证阶段。

从去年9月落地的中科钢研上海先进晶体产业化项目,也能看出中科钢研的技术实力。

2019年9月5日,中科钢研先进晶体产业化项目签约落地上海宝山区,项目拟建设以上海总部基地为核心,拥有国内外多个碳化硅晶体材料、碳化硅微粉、碳化硅电子电力芯片生产基地。

据悉,该项目系中科钢研与国宏华业在引进日本升华法(PVT),高温化学气相沉积法(HTCVD)及俄罗斯电阻加热升华法等国际一流碳化硅长晶工艺技术与装备的基础上,通过三年来的技术消化吸收再创新,通过工艺建模、数值模拟、设备集成、工艺试验等方面的系统性工作,在碳化硅长晶专用装备、碳化硅高纯度原料合成、碳化硅单晶生长及衬底片加工工艺方面取得了较大进展,形成了具有自主知识产权的以碳化硅单晶生长核心工艺技术为代表的完整工艺技术体系。

该工艺技术体系,覆盖了碳化硅晶体与衬底片生产的全工艺环节,保证了碳化硅衬底片产品技术指标、质量稳定性和成本可控性有很大的突出优势。

当时中科钢研方面表示,力争用3到5年时间,将中科钢研与其战略合作伙伴联合创设的国宏中宇科技发展有限公司建设成以上海总部基地为核心,拥有国内外多个碳化硅晶体材料、碳化硅微粉、碳化硅电子电力芯片生产基地,产品销售与服务中心的,国内科研水平最高、产业规模最大、上下游产业链较为完整、产业示范引领作用最大的,以碳化硅半导体材料为代表,聚集第三代半导体材料及其应用技术与产品的高新技术企业集团。

此外,中科钢研与露笑科技也加强了合作。11月26日,露笑科技公告称与中科钢研、国宏中宇正式签署了碳化硅项目的战略合作协议,协议期限为2年,各方将密切合作打造世界级的第三代半导体材料领军企业。

如今正值第三代半导体风口,中科钢研加速碳化硅产业布局,未来或可期。

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